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公开(公告)号：CN106098501B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201610534671.5
申请日：2016-07-08
申请人： 北京工业大学
摘要： 一种Ag‑Mg‑Al合金次级发射阴极材料及其制备方法，属于电子发射阴极技术领域。以金属银充当基体，以Mg、Al金属元素充当活性物质，通过感应熔炼、冷轧、退火和磨抛光工艺制备得到Ag‑Mg‑Al合金薄片；之后将合金薄片在0.5～50.0Pa低压氧气气氛下进行热活化处理，得到厚度为80‑120nm的MgO‑Al2O3复合薄膜层。本发明的新型Ag‑Mg‑Al合金阴极具有次级发射系数大、耐电子轰击、性能稳定、制备工艺流程简单等优点，有望应用于光电倍增管、铯原子钟等领域。
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公开(公告)号：CN103920870A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410149295.9
申请日：2014-04-12
申请人： 北京工业大学
摘要： 一种多孔球形铼钨合金粉体及其制备方法，属于合金粉体技术领域。铼和钨之间的混合是原子级别的混合，铼的质量百分含量25%‐90%，钨的质量百分含量：10‐75%。以高铼酸铵和偏钨酸铵为原料，配成水溶液，然后用喷雾干燥法制备前驱体粉末；在氢气气氛下分解还原，分两步进行处理，第一步为450‐550℃，保温时间为1‐2小时，第二步还原温度为850‐950℃，保温2‐3小时，获得多孔铼钨合金粉末。本方法工艺简单，重复性好，可操作性强，避免了制备过程中杂质元素的引入，制备的样品纯度高，通过控制铼的含量、还原温度和保温时间，可实现多孔球形铼钨合金球的形貌调控。
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公开(公告)号：CN108878234B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201810615636.5
申请日：2018-06-14
申请人： 北京工业大学
摘要： 一种ZrH2添加的Y2O3‑W基次级发射体的制备方法，属于阴极材料的制备技术领域。以制备得到的Y2O3均匀掺杂的钨粉和411铝酸盐为基础，制备出含有激活剂ZrH2添加的浸渍型稀土钨基次级阴极，并对其热发射性能和次级发射性能进行了测试。发现有激活剂ZrH2添加的稀土钨基次级阴极的热发射性能和次级发射性能最为优异，它的零场发射电流密度是无ZrH2添加稀土钨基次级阴极的3.1‑3.4倍，它的最大次级发射系数是无ZrH2添加稀土钨基次级阴极的1.2倍。采用所述方法制备激活剂ZrH2添加的Y2O3‑W基次级发射体，具有优异的热发射性能和次级发射性能，有望应用在大功率磁控管中。
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公开(公告)号：CN108878234A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810615636.5
申请日：2018-06-14
申请人： 北京工业大学
摘要： 一种ZrH2添加的Y2O3‑W基次级发射体的制备方法，属于阴极材料的制备技术领域。以制备得到的Y2O3均匀掺杂的钨粉和411铝酸盐为基础，制备出含有激活剂ZrH2添加的浸渍型稀土钨基次级阴极，并对其热发射性能和次级发射性能进行了测试。发现有激活剂ZrH2添加的稀土钨基次级阴极的热发射性能和次级发射性能最为优异，它的零场发射电流密度是无ZrH2添加稀土钨基次级阴极的3.1‑3.4倍，它的最大次级发射系数是无ZrH2添加稀土钨基次级阴极的1.2倍。采用所述方法制备激活剂ZrH2添加的Y2O3‑W基次级发射体，具有优异的热发射性能和次级发射性能，有望应用在大功率磁控管中。
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公开(公告)号：CN106041069A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610366220.5
申请日：2016-05-27
申请人： 北京工业大学
CPC分类号： H01J9/04 , B22F3/105 , B22F9/026 , B22F9/22 , B22F9/30 , B22F2003/1054 , B22F2998/10 , C22B34/36 , H01J1/28 , H01J19/22 , H01J35/06 , B22F3/02 , B22F3/10 , B22F2999/00 , B22F2202/11
摘要： 一种基于微波烧结的压制型含钪扩散阴极制备方法，属于稀土难溶金属阴极材料技术领域。将各种硝酸盐和偏钨酸氨溶于等离子水，制成均匀混合溶液，利用喷雾干燥得到颗粒均匀的前驱体粉末；然后前驱体粉末经过分解、二次还原得到元素均匀分布的掺杂钨粉；最后利用微波烧结的方法经过一次烧结制备阴极。最终实现阴极烧结一次成型，烧结收缩比显著降低，大幅减少烧结时间，结构均一，重复性好，并且在950℃具有优良发射性能。
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公开(公告)号：CN118417576A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410458493.7
申请日：2024-04-16
申请人： 北京工业大学
摘要： 一种原位制备单相钨铼复合粉末的方法，属于难熔金属冶金领域，包括如下步骤：将偏钨酸铵、高铼酸铵溶于去离子水中，制得溶液。采用液氮快速冻结溶液。提前将冻干机的冷井阀打开，待冷井温度达到‑83～‑90℃并稳定后，放入冻干机中，打开真空泵，维持干燥仓的压力小于50Pa。采用多步氢还原热处理工艺，原位获得单相钨铼合金混合粉末，其中，第一步为300～500℃，保温0.5～3h，第二步为700～850℃，保温0.5‑3h，第三步为1000～1100℃保温0.5～3h，第四步为1300～1500℃保温0.5～3h。经过上述步骤，铼可以完全固溶至钨基体中，最终得到铼含量为15～26wt.％的单相钨铼合金粉末。
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公开(公告)号：CN103920870B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410149295.9
申请日：2014-04-12
申请人： 北京工业大学
摘要： 一种多孔球形铼钨合金粉体及其制备方法，属于合金粉体技术领域。铼和钨之间的混合是原子级别的混合，铼的质量百分含量25%‐90%，钨的质量百分含量：10‐75%。以高铼酸铵和偏钨酸铵为原料，配成水溶液，然后用喷雾干燥法制备前驱体粉末；在氢气气氛下分解还原，分两步进行处理，第一步为450‐550℃，保温时间为1‐2小时，第二步还原温度为850‐950℃，保温2‐3小时，获得多孔铼钨合金粉末。本方法工艺简单，重复性好，可操作性强，避免了制备过程中杂质元素的引入，制备的样品纯度高，通过控制铼的含量、还原温度和保温时间，可实现多孔球形铼钨合金球的形貌调控。
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公开(公告)号：CN108085651B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201711335941.0
申请日：2017-12-14
申请人： 北京工业大学
摘要： 一种耐电子束轰击的二次电子发射复合薄膜及其制备方法，属于功能薄膜材料制备技术领域。以高纯金属银为基底材料，一定原子比的镁铝合金作为溅射源物质，以一定流量的高纯氩氧混合气体作为工作和反应气体，在一定温度条件下，采用直流反应磁控溅射覆膜技术，通过调整溅射功率、沉积时间、气体流量比等参数，制备得到的MgO/Al2O3复合薄膜具有较高的二次电子发射系数和较好的耐电子束轰击性能。采用所述方法制备MgO/Al2O3复合薄膜功能材料具有膜厚可控、成分均匀、二次电子发射系数高和耐电子束轰击性能优异等优点。
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公开(公告)号：CN106041069B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201610366220.5
申请日：2016-05-27
申请人： 北京工业大学
CPC分类号： H01J9/04 , B22F3/105 , B22F9/026 , B22F9/22 , B22F9/30 , B22F2003/1054 , B22F2998/10 , C22B34/36 , H01J1/28 , H01J19/22 , H01J35/06 , B22F3/02
摘要： 一种基于微波烧结的压制型含钪扩散阴极制备方法，属于稀土难溶金属阴极材料技术领域。将各种硝酸盐和偏钨酸氨溶于等离子水，制成均匀混合溶液，利用喷雾干燥得到颗粒均匀的前驱体粉末；然后前驱体粉末经过分解、二次还原得到元素均匀分布的掺杂钨粉；最后利用微波烧结的方法经过一次烧结制备阴极。最终实现阴极烧结一次成型，烧结收缩比显著降低，大幅减少烧结时间，结构均一，重复性好，并且在950℃具有优良发射性能。
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公开(公告)号：CN108085651A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711335941.0
申请日：2017-12-14
申请人： 北京工业大学
摘要： 一种耐电子束轰击的二次电子发射复合薄膜及其制备方法，属于功能薄膜材料制备技术领域。以高纯金属银为基底材料，一定原子比的镁铝合金作为溅射源物质，以一定流量的高纯氩氧混合气体作为工作和反应气体，在一定温度条件下，采用直流反应磁控溅射覆膜技术，通过调整溅射功率、沉积时间、气体流量比等参数，制备得到的MgO/Al2O3复合薄膜具有较高的二次电子发射系数和较好的耐电子束轰击性能。采用所述方法制备MgO/Al2O3复合薄膜功能材料具有膜厚可控、成分均匀、二次电子发射系数高和耐电子束轰击性能优异等优点。
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