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发明公开
CN108172508A 半导体装置的制造方法 无效 - 撤回

半导体装置的制造方法
摘要：
本发明提供一种半导体装置的制造方法，有效地形成相对于SiC晶片的接触电阻低的硅化物层。一种半导体装置的制造方法，包括：对SiC晶片的表面进行磨削，且在露出于所述表面露出的范围形成具有5nm以上的厚度的破碎层的工序；形成将所述破碎层覆盖的金属层的工序；及通过加热来使所述金属层与所述破碎层反应，由此形成与所述SiC晶片欧姆接触的硅化物层，且被所述金属层覆盖的范围的所述破碎层的至少一部分在其厚度方向整个区域变化为硅化物层的工序。
摘要（英）：

A method of manufacturing a semiconductor device is provided. The method includes: grinding a surface of an SiC wafer so that a crushed layer having a thickness of 5 nm or more is formed in a range exposed on the surface; forming a metal layer covering the crushed layer; and making the metal layer and the crushed layer react with each other by heating so as to form a silicide layer in ohmic contact with the SiC wafer. At least a part of the crushed layer covered with the metal layer transforms to the silicide layer over its entire depth.

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