本发明公开了一种同侧结构的深紫外LED外延结构及制备方法，其中，外延结构包括蓝宝石衬底、设置在蓝宝石衬底上表面的LED外延主体和另一侧的静电保护二极管主体，静电保护二极管主体与LED外延主体反向并联，LED外延主体的第一P型电极、第一N型电极及静电保护二极管主体的第二P型电极、第二N型电极设置所在层的同侧，第一P型电极与第二N型电极连接，第一N型电极与静电保护二极管主体的第二P型电极连接，还包括设置在LED外延主体和静电保护二极管主体的台面、侧壁的钝化层。通过反向并联静电保护二极管，减小了静电放电、脉冲电流和浪涌电压等危害对LED芯片的直接冲击影响，提高了LED的可靠性。