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公开(公告)号：CN107195762B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN201710565522.X
申请日：2017-07-12
申请人： 广东工业大学
摘要： 本申请公开了一种倒装HV‑LED光源及其制备方法，其中，所述倒装HV‑LED光源的反射膜和金属层共同构成了所述倒装HV‑LED光源中的HV‑LED芯片的反光面，提升了HV‑LED芯片的光源利用率，从而提升了所述倒装HV‑LED光源的出光效率；另外，所述倒装HV‑LED光源中的封装层与所述基板表面所成角度为预设角度，为所述HV‑LED芯片提供了一个反光杯结构，使得所述HV‑LED芯片的出射光线在其出射光路上能够被该反光杯结构反射向所述倒装HV‑LED光源的出光面，从而进一步增强所述倒装HV‑LED芯片的出光效率。
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公开(公告)号：CN107958900A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201711294960.3
申请日：2017-12-08
申请人： 广东工业大学
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/36
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L33/06 , H01L33/145 , H01L33/20 , H01L33/36
摘要： 本发明公开了一种垂直结构的发光二极管，该发光二极管包括：衬底；设置在衬底上的第一缓冲层、第二缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱结构层、电子屏蔽层、p型GaN层、透明导电薄膜层；贯穿透明导电薄膜层、p型GaN层、电子屏蔽层、多量子阱结构层、n型GaN层，直至暴露出未掺杂GaN层的第一凹槽，第一凹槽的第一表面与衬底成预设角度，第一凹槽的第二表面与所述衬底垂直；沿着第一表面贯穿未掺杂GaN层、第二缓冲层、第一缓冲层、衬底的通孔；设置在第一表面以及通孔上的反光层、绝缘层、第一金属导电层；贯穿衬底、第一缓冲层、第二缓冲层，直至暴露出n型GaN层的第二凹槽。该发光二极管满足大功率照明要求。
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公开(公告)号：CN107906424A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711340505.2
申请日：2017-12-14
申请人： 广东工业大学
摘要： 本发明公开了一种LED聚光灯，包括具有通孔的散热部件、连接板和发光模块；散热部件平铺于连接板的表面，连接板的另一表面与发光模块连接以将发光模块产生的热量传导至散热部件；其中，散热部件的外侧面呈锯齿状。该LED聚光灯中发光模块发生的热量可以先通过连接板传导至散热部件，再利用散热部件将传输来的热量散掉，且散热部件平铺于连接板的表面，散热部件上具有通孔，散热部件的外侧面呈锯齿状，便于空气流通，可以增加发光模块与空气之间的散热面积，与传统的直接将多个散热片垂直安装于LED聚光灯中的发光模块相比，散热效果更好，提高了散热效率。
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公开(公告)号：CN107768664A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710992179.7
申请日：2017-10-23
申请人： 广东工业大学
IPC分类号： H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/0525
CPC分类号： H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/0525
摘要： 本发明提供了一种钼掺杂的富锂锰基正极材料，具有式I所示化学式：Li1.2Mn0.54-xMoxCo0.13Ni0.13O2式I；其中，0.05≤x≤0.1。本发明以金属阳离子Mo对层状的富锂锰基材料中的锰离子进行替代，实现对层状富锂锰基材料的体相掺杂，本发明中的钼掺杂的富锂锰基正极材料结构稳定，能制循环过程中电压衰减和容量衰减。本发明还提供了一种钼掺杂的富锂锰基正极材料的制备方法，本发明采用溶胶凝胶法制备，得到的层状富锂锰基正极材料结构稳定性，从而提高循环性能和抑制循环过程产生的压降。
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公开(公告)号：CN107503401A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710750796.6
申请日：2017-08-28
申请人： 广东工业大学
摘要： 本发明实施例公开了一种家用蓄水系统的控制装置、系统及方法，包括控制器、第一液位传感器、第一变频器、第一电磁阀和水泵电机，第一液位传感器设置于蓄水罐的内侧，第一液位传感器的输出端与控制器的第一端连接，用于检测蓄水罐中的水位，获取第一水位值，以便控制器依据第一水位值确定是否控制第一电磁阀和第一变频器的开启或关闭；控制器的第二端通过第一变频器与水泵电机的驱动端连接；第一电磁阀的控制端与控制器的第三端连接；第一变频器用于接收到控制器的控制指令后驱动水泵电机运行，水泵电机用于驱动水井中的水通过第一电磁阀流入蓄水罐，第一电磁阀用于当接收到控制器发送的控制指令后开启。工作效率高，节约了水资源和电力资源。
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公开(公告)号：CN107437542A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710640094.2
申请日：2017-07-31
申请人： 广东工业大学
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/12 , H01L33/06 , H01L33/36 , H01L33/64 , H01L33/46 , H01L33/00 , H01L33/48
CPC分类号： H01L27/0248 , H01L27/12 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/36 , H01L33/46 , H01L33/48 , H01L33/64 , H01L2933/0016 , H01L2933/0033 , H01L2933/0075
摘要： 本申请公开了一种紫外LED芯片及其制备方法，该紫外LED芯片通过在衬底表面上生长外延结构，以及在所述外延结构的中间设置绝缘层和凹槽接触层，进而将完整的外延结构隔离成两种彼此绝缘的第一外延结构和第二外延结构，通过凹槽接触层将第一外延结构的N型氮化镓铝层引出，并且紫外LED芯片通过基板上的N电极、P电极和中间电极配合第一外延结构和第二外延结构分别形成了发光二极管和静电保护二极管，该静电保护二极管反向并联连接在发光二极管两端，为紫外LED芯片提供了一条静电释放的通道，减小了静电放电对紫外LED芯片的直接危害，增大了LED的正向电压和抗静电放电打击的强度，从而提高了紫外LED芯片的成品率和可靠性。
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公开(公告)号：CN106935695A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710348313.X
申请日：2017-05-17
申请人： 广东工业大学
CPC分类号： H01L33/486 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L33/647
摘要： 本发明公开了一种紫外LED器件，该器件包括陶瓷基座；设置于所述陶瓷基座的凹槽；设置于所述陶瓷基座、位于所述凹槽上的台形阶梯结构；安装于所述台形阶梯结构处的石英玻璃盖板；共晶倒装焊接于所述凹槽底面的紫外LED芯片，其中，所述紫外LED芯片的正负极与所述凹槽底面之间至少有两层导热导电性能良好的金属层，以实现所述紫外LED芯片的共晶倒装焊接。本申请通过导电导热性能良好的金属，将紫外LED芯片共晶倒装焊接于紫外LED器件内，避免了传统的固晶有机胶的使用；且在保证紫外LED芯片电气连接的同时，能将热量传导至陶瓷基座，增加了器件的导热性能，从而提高器件的稳定性和寿命。可见，本申请有利于提高紫外LED器件的散热性能。
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公开(公告)号：CN108105733B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201810091289.0
申请日：2018-01-30
申请人： 广东工业大学
IPC分类号： F21V29/503 , F21V29/56 , F21V29/76 , F21V29/89 , F21Y115/10
摘要： 本发明属于LED散热技术领域，尤其涉及一种LED散热装置。本发明中，大功率LED光源散发的热量一方面可被第一冷液储存腔中的冷液吸收，一方面可被套接于第一空心圆台的侧面的外壁的横向圆环翅片吸收并进行热量排出，第一冷液储存腔的冷液吸收热量，对大功率LED光源进行液冷散热，横向圆环翅片吸收热量并进行热量排出，对大功率LED光源进行自然对流散热，本发明LED散热装置将冷液散热和自然对流散热结合，能够保证大功率LED光源的散热要求，并能够保证LED散热装置的稳定性。
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公开(公告)号：CN107195743B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201710359384.X
申请日：2017-05-19
申请人： 广东工业大学
摘要： 本发明公开了一种紫外LED倒装芯片，包括从下往上依次设置的基板、布线层和芯片外延层；本发明通过刻蚀工艺将芯片外延层的一部分去除，形成用于设置n电极的n型半导体区域，并在芯片外延层内分别设有贯穿n型AlGaN层的第一内部接触层和贯穿n型AlGaN层至透明导电层的第二内部接触层，使芯片内部形成用于释放高压静电的电流释放通道，从而避免芯片遭受静电的危害；另外，反射层的设置可以最大限度反射向下射出的光线，有效提高芯片的出光率；透明导电层可以增大与p电极之间的接触面积，获得更好的散热效果；最后，本发明通过设置电流扩展层和电子阻挡层，加强芯片内部载流子向上流动的速度和流量，使芯片的出光率大大提高。
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公开(公告)号：CN108493311A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810449577.9
申请日：2018-05-11
申请人： 广东工业大学
摘要： 本发明公开了一种深紫外LED外延芯片封装结构及制备方法，其中封装结构包括穿过钝化绝缘层、导电薄膜接触层到重掺杂N型AlGaN层的第一凹槽和穿过钝化绝缘层、导电薄膜接触层到电流扩展层的第二凹槽，第一凹槽内、第二凹槽内设置有底部的第一金属层、第二金属层，侧壁的第一隔离层、第二隔离层，及填充的N型内部金属接触层和P型内部金属接触层，与设置在台面的N型电极和P型电极连接。通过在芯片内部刻蚀形成凹槽，减小了对发光区域的刻蚀以及损害，增大了有效发光面积；凹槽的设置增加了外延层内部的电流路径，起到了分流的作用，金属层以及内部金属接触层的设置缩短了传热路径，降低了热阻，提高了散热效率。
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