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公开(公告)号：CN106935690B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201710171254.3
申请日：2017-03-21
申请人： 广东工业大学
摘要： 本发明公开了一种提高紫外LED光输出功率的外延结构，所述外延结构自下而上包括依次设置的衬底，GaN缓冲层，未掺杂的GaN层，掺杂N型GaN层，AlGaN/GaN多量子阱结构，插入层，电子阻挡层EBL，P型GaN层，所述衬底采用蓝宝石衬底，所述GaN缓冲层厚度为20‑25nm，生长温度为530‑550℃，并在1050℃恒温6分钟使GaN缓冲层重结晶，所述未掺杂的GaN层厚度为2.0‑2.5μm，生长温度为1050℃，所述掺杂N型GaN层的厚度为2.5‑3.0μm，其中Si掺杂浓度为5x1018cm‑3，生长温度为1050℃，所述多量子阱AlGaN/GaN结构由多量子阱AlGaN层和多量子阱GaN层按6个周期的交替生长而成。本发明通过提高紫外LED芯片的晶体质量，优化电子阻挡层的电子阻挡效果，减少电子泄露，从而改善紫外LED器件的效率下降，提高光输出功率。
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公开(公告)号：CN107195743B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201710359384.X
申请日：2017-05-19
申请人： 广东工业大学
摘要： 本发明公开了一种紫外LED倒装芯片，包括从下往上依次设置的基板、布线层和芯片外延层；本发明通过刻蚀工艺将芯片外延层的一部分去除，形成用于设置n电极的n型半导体区域，并在芯片外延层内分别设有贯穿n型AlGaN层的第一内部接触层和贯穿n型AlGaN层至透明导电层的第二内部接触层，使芯片内部形成用于释放高压静电的电流释放通道，从而避免芯片遭受静电的危害；另外，反射层的设置可以最大限度反射向下射出的光线，有效提高芯片的出光率；透明导电层可以增大与p电极之间的接触面积，获得更好的散热效果；最后，本发明通过设置电流扩展层和电子阻挡层，加强芯片内部载流子向上流动的速度和流量，使芯片的出光率大大提高。
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公开(公告)号：CN108682724A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810556173.X
申请日：2018-06-01
申请人： 广东工业大学
CPC分类号： H01L33/24 , H01L33/007 , H01L33/58 , H01L33/641 , H01L2933/0058 , H01L2933/0075
摘要： 本发明公开了一种LED外延芯片，该LED外延芯片中主要用于发光的功能层包括多个柱状的发光单元，在多个发光单元之间形成有空气间隙。当发光单元发射出光线时，该光线会在发光单元与空气间隙这两种界面之间发生散射效应，从而增加LED外延芯片的出光率；同时由于空气间隙的存在，发光单元所产生的热量会通过空气间隙极快的传递出LED外延芯片，从而增加LED外延芯片的散热效果。本发明所提供的一种LED外延芯片的制备方法，该方法制备的LED外延芯片同样具有上述有益效果。
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公开(公告)号：CN108565322A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810556170.6
申请日：2018-06-01
申请人： 广东工业大学
摘要： 本发明公开了一种LED外延芯片，该LED外延芯片中主要用于发光的功能层包括多个圆台状或棱台状的发光单元，在多个发光单元之间形成有空气间隙。此时发光单元具有倾斜的侧壁。当发光单元发射出光线时，该光线会在发光单元与空气间隙这两种界面之间发生散射效应，从而增加LED外延芯片的出光率；同时由于空气间隙的存在发光单元所产生的热量会通过空气间隙极快的传递出LED外延芯片，从而增加LED外延芯片的散热效果。本发明所提供的一种LED外延芯片的制备方法，该方法制备的LED外延芯片同样具有上述有益效果。
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公开(公告)号：CN108493311A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810449577.9
申请日：2018-05-11
申请人： 广东工业大学
摘要： 本发明公开了一种深紫外LED外延芯片封装结构及制备方法，其中封装结构包括穿过钝化绝缘层、导电薄膜接触层到重掺杂N型AlGaN层的第一凹槽和穿过钝化绝缘层、导电薄膜接触层到电流扩展层的第二凹槽，第一凹槽内、第二凹槽内设置有底部的第一金属层、第二金属层，侧壁的第一隔离层、第二隔离层，及填充的N型内部金属接触层和P型内部金属接触层，与设置在台面的N型电极和P型电极连接。通过在芯片内部刻蚀形成凹槽，减小了对发光区域的刻蚀以及损害，增大了有效发光面积；凹槽的设置增加了外延层内部的电流路径，起到了分流的作用，金属层以及内部金属接触层的设置缩短了传热路径，降低了热阻，提高了散热效率。
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公开(公告)号：CN108400133A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810450187.3
申请日：2018-05-11
申请人： 广东工业大学
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2924/00014
摘要： 本发明公开了一种同侧结构的深紫外LED外延结构及制备方法，其中，外延结构包括蓝宝石衬底、设置在蓝宝石衬底上表面的LED外延主体和另一侧的静电保护二极管主体，静电保护二极管主体与LED外延主体反向并联，LED外延主体的第一P型电极、第一N型电极及静电保护二极管主体的第二P型电极、第二N型电极设置所在层的同侧，第一P型电极与第二N型电极连接，第一N型电极与静电保护二极管主体的第二P型电极连接，还包括设置在LED外延主体和静电保护二极管主体的台面、侧壁的钝化层。通过反向并联静电保护二极管，减小了静电放电、脉冲电流和浪涌电压等危害对LED芯片的直接冲击影响，提高了LED的可靠性。
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公开(公告)号：CN107452861A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710865325.X
申请日：2017-09-22
申请人： 广东工业大学
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/0079 , H01L33/0095
摘要： 本申请公开了一种紫外LED芯片及其制备方法，其中，紫外LED芯片的第一衬底的第二表面设置紫外发光二极管，紫外发光二极管的外延结构的一端首先经过刻蚀处理后形成凹凸台面，基于所述凹凸台面继续向第一衬底一侧刻蚀形成凹槽，PN结结构中的N型电极通过设置于凹槽中的内部接触层与紫外发光二极管中的P型电极电连接，同时PN结结构中的P型电极通过外部电极结构与紫外发光二极管中的N型电极电连接，从而实现了PN结结构和紫外发光二极管的反向并联连接，进而为紫外发光二极管提供了一条静电释放的通道，使得紫外LED芯片免受反向电压或者静电放电危害的影响，同时还增大了紫外LED芯片的正向电压和抗静电打击强度。
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公开(公告)号：CN106981563B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201710343646.3
申请日：2017-05-16
申请人： 广东工业大学
摘要： 本申请公开了一种功率型紫外LED器件，包括散热基板以及倒装在所述散热基板上的LED芯片，所述散热基板包括底座，所述底座表面固定有至少一层由氮化铝层和金属布线层组成的复合层，所述复合层在垂直于所述底座表面的方向上开设有第一通孔，所述第一通孔内设置有与所述LED芯片并联且异相连接的外部静电保护模组。上述功率型紫外LED器件，不仅出光量更大、散热性能更优越，还能够减小封装及组装过程中静电释放对LED芯片的危害，并能够避免单一结构的静电保护二极管损坏后造成整体失效。
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公开(公告)号：CN108598228A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810717487.3
申请日：2018-06-29
申请人： 广东工业大学
摘要： 本发明公开了一种大功率紫外LED垂直芯片封装结构及其制作方法，发光外延层包括位于N型外延层背离第一衬底一侧的柱状外延阵列，且每一柱状外延包括依次垂直N型外延层叠加的多量子阱有源层、电子阻挡层和P型外延层，其中，相邻柱状外延之间由于具有间隙而被空气相互贯通，进而能够通过柱状外延阵列和外界空气两种界面之间的全反射及光线散射效应，增强紫外LED芯片的出光效率和散热效果，提高了紫外LED芯片的性能。此外，由于第二衬底的设置，使得更加容易将第二衬底和P型电极结构的剥离去除，而便于剩余发光结构转移连接至其他器件结构中。
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公开(公告)号：CN107195762A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710565522.X
申请日：2017-07-12
申请人： 广东工业大学
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/005 , H01L33/52
摘要： 本申请公开了一种倒装HV‑LED光源及其制备方法，其中，所述倒装HV‑LED光源的反射膜和金属层共同构成了所述倒装HV‑LED光源中的HV‑LED芯片的反光面，提升了HV‑LED芯片的光源利用率，从而提升了所述倒装HV‑LED光源的出光效率；另外，所述倒装HV‑LED光源中的封装层与所述基板表面所成角度为预设角度，为所述HV‑LED芯片提供了一个反光杯结构，使得所述HV‑LED芯片的出射光线在其出射光路上能够被该反光杯结构反射向所述倒装HV‑LED光源的出光面，从而进一步增强所述倒装HV‑LED芯片的出光效率。
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