本发明涉及表面处理领域，具体涉及一种高效激光清洗硅片工艺。黏胶涂覆在硅片的表面后，颗粒污物被黏胶包围，经过干燥后颗粒污物将被固化在黏胶内；黑胶带在黏胶没有干燥之前被涂覆，因此黑胶带与黏胶粘结在一起；脉冲激光束作用在对脉冲激光束吸收率很高的黑胶带上，产生冲击波，在激光的瞬时热力作用下，黑胶带、黏胶和固化在黏胶内的颗粒污物开裂成粒度为100～300微粒的碎片并从硅片的表面飞离，使颗粒污物从硅片的待处理表面分离；硅片经过高压气体吹洗之后，放入丙酮溶液进行超声清洗，以清除粘着在硅片表面的黏胶残渣，最终获得具有清洁表面的硅片。本发明可应用于半导体行业硅片的清洗。