发明授权
- 专利标题: 半导体元件及其制作方法
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申请号: CN201611129233.7申请日: 2016-12-09
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公开(公告)号: CN108615732B公开(公告)日: 2019-06-28
- 发明人: 何建廷 , 冯立伟 , 王嫈乔 , 林裕杰
- 申请人: 联华电子股份有限公司 , 福建省晋华集成电路有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹市
- 专利权人: 联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司
- 当前专利权人: 联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹市
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 陈小雯
- 主分类号: H01L27/108
- IPC分类号: H01L27/108 ; H01L21/8242
摘要:
本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该半导体元件包含有一基底,该基底内定义有至少一存储器区域,其内包含有多个存储单元。该半导体元件还包含多个第一连接结构、多个第二连接结构、多个分别设置于该多个第二连接结构上的第一存储电极、以及多个分别设置于该多个第一连接结构上的虚设电极。该多个第一连接结构分别包含有一导电部分与一第一金属部分,该多个第二连接结构分别包含有该导电部分与一第二金属部分,该第一金属部分与该第二金属部分包含相同的材料,且该第一金属部分与该第二金属部分的高度不同。
公开/授权文献
- CN108615732A 半导体元件及其制作方法 公开/授权日:2018-10-02