具有dV/dt可控性的IGBT

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专利标题： 具有dV/dt可控性的IGBT
专利标题（英）： IGBTIGBT WITH DV/DT CONTROLLABILTY
申请号： CN201810251390.8

申请日： 2018-03-26
公开(公告)号： CN108695381A

公开(公告)日： 2018-10-23
发明人: C.耶格 , J.G.拉文 , A.菲利普 , A.韦莱
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
申请人地址： 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
当前专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
当前专利权人地址： 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
代理商 黄涛; 申屠伟进
优先权： 102017107174.1 20170404 DE
主分类号： H01L29/739
IPC分类号： H01L29/739 ; H01L21/331 ; H01L29/06

摘要：

呈现了具有势垒区（105）的IGBT（1）。IGBT（1）的功率基本单元（1‑1）被装备有至少两个沟槽（14、15），该至少两个沟槽（14、15）都可以延伸到势垒区（105）中。势垒区（105）可以是p掺杂的并且通过漂移区（100）被竖直限定（即在延伸方向（Z）和逆延伸方向（Z））。势垒区（105）可以是电浮置的。

摘要（英）：

An IGBT (1) having a barrier region (105) is presented. A power unit cell (1-1) of the IGBT (1) has at least two trenches (14, 15) that may both extend into the barrier region (105). The barrier region (105) may be p-doped and vertically confined, i.e., in an extension direction (Z) and a reverse extension direction (Z), by means of a drift region (100). The barrier region (105) can be electrically floating.

公开/授权文献

CN108695381B 具有dV/dt可控性的IGBT 公开/授权日：2024-03-15

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/70	...双极器件
H01L29/72	....晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的
H01L29/739	.....受场效应控制的