公开(公告)号：CN109698197B

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN201811229046.5

申请日：2018-10-22

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.韦莱 ,  M.比纳 ,  M.戴内泽 ,  C.耶格 ,  J.G.拉文 ,  A.菲利波 ,  F.J.桑托斯罗德里格斯

IPC: H10D84/60 ,  H01L21/324 ,  H10D84/03

Abstract: 一种加工功率半导体器件（1）的方法（2）包括：提供具有第一导电类型的漂移区（100）的半导体本体（10）；创建（20）多个沟槽（14、15、16），其中该沟槽（14、15、16）沿着垂直方向（Z）延伸到半导体本体（10）中并且沿着第一横向方向（X）彼此邻近布置；在半导体本体（10）处提供（22）掩模布置（30），其中该掩模布置（30）具有根据其来使沟槽（14、15、16）中的一些暴露的横向结构（301）并且该沟槽（14、15、16）中的至少一个被掩模布置（30）覆盖；使半导体本体（10）和掩模布置（30）经受（24）掺杂剂材料提供步骤，由此在被暴露的沟槽（14、15、16）的底部下面创建与第一导电类型互补的第二导电类型的多个掺杂区（1059）；移除（26）掩模布置（30）；使半导体本体（10）经受（28）温度退火步骤，由此促使多个掺杂区（1059）平行于第一横向方向（X）延伸以便重叠并形成邻近被暴露的沟槽（14、15、16）的底部的第二导电类型的势垒区（105）。

公开(公告)号：CN107665882B

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201710623101.8

申请日：2017-07-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M.科托罗贾 ,  E.格里布尔 ,  J.G.拉文 ,  A.菲利波

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66 ,  G01R31/52 ,  G01R31/56

Abstract: 一种半导体器件包括连接到晶体管结构的多个源极掺杂区部分的第一源极配线子结构。该半导体器件还包括连接到多个源极场电极的第二源极配线子结构，多个源极场电极位于延伸到半导体器件的半导体衬底中的多个源极场沟槽中。第一源极配线子结构的触点配线部分和第二源极配线子结构的触点配线部分位于层堆叠的配线层中，层堆叠的配线层位于半导体衬底上。第一源极配线子结构的触点配线部分和第二源极配线子结构的触点配线部分各自具有足够触点用于至少临时测试测量的横向尺寸。包括触点配线部分的配线层被定位成比第一源极配线子结构和第二源极配线子结构之间的任何欧姆电连接更接近半导体衬底。

公开(公告)号：CN105716734B

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201510967259.8

申请日：2015-12-22

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C.克格勒 ,  J.G.拉文 ,  J.马勒 ,  G.鲁尔 ,  H-J.舒尔策

IPC: G01K7/16 ,  G01K7/34

Abstract: 本发明涉及温度传感器。提供了温度传感器器件和对应的方法。温度传感器可以包含在温度范围内本质上是非传导的第一层以及在所述温度范围内具有变化的电阻的第二层。

公开(公告)号：CN105448949B

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201510596556.6

申请日：2015-09-18

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C.耶格 ,  J.G.拉文 ,  F.D.普菲尔施 ,  A.菲利波

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明涉及具有可变电阻元件的半导体器件。半导体器件（500）包括半导体主体（100），该半导体主体（100）包括与发射极区域（140）形成pn结（pn1）的漂移区（121）。第一负载电极（310）在半导体主体（100）的前侧。第二负载电极（320）在与前侧相对的半导体主体（100）的背侧。一个或多个可变电阻元件（190）电连接在漂移区（121）与第一和第二负载电极（310、320）中的一个之间的受控路径中。可变电阻元件（190）响应于半导体器件（500）的操作状态的改变来激活和停用半导体器件（500）的电子元件。

公开(公告)号：CN108933169A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201810528736.4

申请日：2018-05-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司 ,  英飞凌科技德累斯顿有限责任公司

Inventor： M.比纳 ,  M.戴内泽 ,  I.迪恩施托费尔 ,  E.格里布尔 ,  C.耶格 ,  J.G.拉文 ,  C.莱恩德茨 ,  F.D.普菲尔施 ,  A.菲利普

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L21/331 ,  H01L21/28

Abstract: 具有dV/dt可控性和交叉沟槽布置的功率半导体器件。一种功率半导体器件包括：配置成传导负载电流的有源区；围绕有源区的非有源终止区；半导体主体，其形成有源区和非有源终止区中的每一个的一部分；第一负载端子和第二负载端子，其中有源区配置成在第一负载端子和第二负载端子之间传导负载电流；至少一个功率单元，其具有延伸到半导体主体中且沿着第一横向方向彼此邻近布置的多个沟槽。沟槽中的每一个具有沿着第二横向方向延伸到有源区中的条纹配置。沟槽在空间上限制多个台面。多个台面包括电连接至有源区内的第一负载端子且配置成传导负载电流的至少一部分的至少一个第一类型台面和配置成不传导负载电流的至少一个第二类型台面。

公开(公告)号：CN105655244B

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201510840129.8

申请日：2015-11-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M.耶利内克 ,  J.G.拉文 ,  H-J.舒尔策 ,  W.舒施特雷德

IPC: H01L21/265 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及使用轻离子注入制造半导体器件的方法和半导体器件。在单晶半导体衬底（500a）中形成第一掺杂区（115）。经过处理表面（102a）将轻离子（499）注入到半导体衬底（500a）中以在第一掺杂区（115）和处理表面（102a）之间生成晶格空位，其中被用于注入轻离子（499）的注入束的主束轴（495）偏离沿着其发生轻离子（499）的引导的主晶向（485）至多1.5度。在晶格空位和氢原子的基础上形成具有与第一掺杂区（115）相反的导电类型的第二掺杂区（122）。

公开(公告)号：CN106356403A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610553186.2

申请日：2016-07-14

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R.巴布尔斯克 ,  J.G.拉文

IPC: H01L29/739

Abstract: 提供了具有晶体管单元和辅助单元的可减饱和的半导体器件。一种半导体器件（500）包括晶体管单元（TC），其当施加到栅电极（155）的栅电压超过第一阈值电压（Vthn）时将第一负载电极（310）与漂移结构（120）连接，漂移结构（120）与本体区（115）形成第一pn结（pn1）。在第一负载电极（310）的垂直投影中并且与第一负载电极310）电连接的第一辅助单元（AC1）配置为至少在第一pn结（pn1）的正向偏置模式中将电荷载流子注入到漂移结构（120）中。第二辅助单元（AC2）配置为当在第一pn结（pn1）的正向偏置模式中栅电压低于比第一阈值电压（Vthn）低的第二阈值电压（Vthp）时以高发射极效率将电荷载流子注入到漂移结构（120）中，并且当栅电压超过第二阈值电压（Vthp）时以低发射极效率将电荷载流子注入到漂移结构（120）中。

公开(公告)号：CN105405868A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201510564952.0

申请日：2015-09-08

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R.巴布尔斯克 ,  M.戴内塞 ,  J.G.拉文 ,  P.莱希纳 ,  H-J.舒尔策

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/772 ,  H01L21/74 ,  H01L21/334

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02664 ,  H01L23/544 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8613 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L29/0603 ,  H01L21/74 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66409 ,  H01L29/772

Abstract: 本发明涉及具有包括埋入部分的控制结构的半导体器件及制造方法。一种半导体器件包括具有第一导电类型的源极区和第二导电类型的本体区的晶体管单元。源极区和本体区形成在由半导体本体的一部分形成的半导体台面中。控制结构包括在半导体台面的至少两个相对侧上延伸到半导体本体中的第一部分、第一部分之间的距第一表面一定距离的第二部分、以及距第一表面一定距离并且连接第一部分和第二部分的第三部分，其中半导体台面的收缩区段形成在相邻的第三部分之间。

公开(公告)号：CN104716168A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201410754510.8

申请日：2014-12-11

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R.巴布尔斯克 ,  H.许斯肯 ,  P.伊尔西格勒 ,  J.G.拉文 ,  H-J.舒尔策

IPC: H01L29/06

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明涉及带有复合区的半导体器件。半导体器件包含在半导体主体中在漂移区带和电荷载流子传输区之间的pn结。存取沟道提供持久电荷载流子路径，所述持久电荷载流子路径通过在漂移区带和复合区之间的分离区将漂移区带和复合区连接。存取沟道调节在漂移区带和复合区中的等离子体密度。

公开(公告)号：CN109599432B

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN201811228445.X

申请日：2015-12-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R.巴布尔斯克 ,  T.巴斯勒 ,  P.C.布兰特 ,  M.科托罗格亚 ,  J.G.拉文

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L27/02 ,  H03K17/082

Abstract: 本发明涉及半导体器件。提出一种半导体器件。半导体器件包括：半导体区域，半导体区域呈现第一导电类型的电荷载流子；晶体管单元，被包含在半导体区域中；半导体沟道区域，被包含在晶体管单元中，半导体沟道区域呈现与第一导电类型互补的第二导电类型的第一掺杂浓度的电荷载流子，其中半导体沟道区域和半导体区域之间的过渡区形成第一pn结。半导体器件进一步包括被包含在半导体区域中并且不同于半导体沟道区域的半导体辅助区域，半导体辅助区域呈现第二导电类型的第二掺杂浓度的电荷载流子，第二掺杂浓度与第一掺杂浓度相比更高至少30%，其中半导体辅助区域和半导体区域之间的过渡区形成第二pn结。