发明授权
CN108701571B 场致发射电子源、其制造方法和电子束装置
失效 - 权利终止
- 专利标题: 场致发射电子源、其制造方法和电子束装置
-
申请号: CN201680082576.4申请日: 2016-11-24
-
公开(公告)号: CN108701571B公开(公告)日: 2020-04-10
- 发明人: 楠敏明 , 桥诘富博 , 糟谷圭吾 , 大嶋卓 , 酒井佑辅 , 小瀬洋一 , 荒井纪明
- 申请人: 株式会社日立高新技术
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 株式会社日立高新技术
- 当前专利权人: 株式会社日立高新技术
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理商 龙淳
- 优先权: 2016-038898 2016.03.01 JP
- 国际申请: PCT/JP2016/084726 2016.11.24
- 国际公布: WO2017/149862 JA 2017.09.08
- 进入国家日期: 2018-08-24
- 主分类号: H01J1/304
- IPC分类号: H01J1/304 ; H01J37/06 ; H01J37/073 ; H01J9/02
摘要:
本发明提供可稳定地加热闪蒸的六硼化物单结晶场致发射电子源,因此,本场致发射电子源具包括:金属丝(107)、与其接合的金属管(108)、发射电子的六硼化物电极头(104)、独立于金属管和六硼化物电极头的石墨片(109),六硼化物电极头配置成因石墨片而在结构上不与金属管接触,且具有六硼化物电极头、石墨片和金属管机械接触且电接触的结构。
公开/授权文献
- CN108701571A 场致发射电子源、其制造方法和电子束装置 公开/授权日:2018-10-23