- 专利标题: 一种常压下曲面基底的原子层沉积薄膜制备设备
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申请号: CN201810503730.1申请日: 2018-05-23
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公开(公告)号: CN108754456B公开(公告)日: 2019-08-13
- 发明人: 陈蓉 , 黄奕利 , 单斌 , 李云 , 曹坤 , 但威 , 王晓雷
- 申请人: 华中科技大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 代理机构: 华中科技大学专利中心
- 代理商 梁鹏; 曹葆青
- 主分类号: C23C16/455
- IPC分类号: C23C16/455 ; C23C16/52
摘要:
本发明属于微纳制造相关设备领域,并公开了一种常压下曲面基底的原子层沉积薄膜制备设备,它包括喷头模块及对应配备的液压传动模块,其中该喷头模块用于对基底进行原子层沉积,具有空间隔离的作用,并且四周的气浮区可以帮助喷头在经过曲面时改变方向达到曲面沉积的作用;该液压传动模块通过转阀来实时获取喷头转动角度的信息,并通过改变进出油口的相对连接位置而使得喷头总体上升或者下降或者保持不动。通过本发明,能够可获得一种开放式、具有自调整功能的原子层沉积薄膜制备设备,其不仅可在常温常压下即可执行各类曲面沉积操作,而且喷头能够根据曲面曲率的不同而快速改变角度及升降运动,进而与现有设备相比可显著提高作业效率和适用性。
公开/授权文献
- CN108754456A 一种常压下曲面基底的原子层沉积薄膜制备设备 公开/授权日:2018-11-06
IPC分类: