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公开(公告)号：CN117198945A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311327624.X
申请日：2023-10-13
申请人： 华中科技大学 , 华中科技大学无锡研究院
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687 , B08B3/08 , B08B5/02 , B08B13/00
摘要： 本申请涉及一种晶圆加工设备，包括喷气组件、翻转机构和液相浸泡平台，喷气组件位于翻转机构的上方，液相浸泡平台位于翻转机构的下方，且翻转机构用于承接晶圆并对晶圆进行翻转；喷气组件用于对晶圆的待处理面进行喷气清洗；液相浸泡平台用于对晶圆的待处理面进行浸泡处理。本申请的晶圆加工设备，利用翻转机构可以实现对晶圆的0°～180°旋转，使得晶圆的待处理面可以翻转至与喷气组件，也可以翻转至与液相浸泡平台相对。如此，既可以满足喷气组件对晶圆进行清洗的需要，又可以将晶圆倒扣浸泡在液相浸泡平台的化学处理液中。这种集成清洗功能和浸泡功能的方式，不仅优化了晶圆加工设备的功能，而且改善了晶圆加工品质。
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公开(公告)号：CN115198252A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210303352.9
申请日：2022-03-25
申请人： 华中科技大学 , 华中科技大学无锡研究院
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/04
摘要： 本发明涉及一种原子层沉积设备及原子层沉积薄膜的制备方法。本发明提供的原子层沉积设备包括：反应室，其具有反应腔，所述反应腔中设置有第一基片承载台和电极板，所述第一基片承载台用于承载基片，所述电极板位于所述第一基片承载台的上方；电源系统，其第一电极与所述第一基片承载台电连接，第二电极与所述电极板电连接，所述电源系统用于在所述第一基片承载台和所述电极板之间形成电场，以诱导用于在所述基片上沉积出的薄膜的生长取向。
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公开(公告)号：CN116936768A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311018492.2
申请日：2023-08-14
申请人： 华中科技大学 , 华中科技大学无锡研究院
IPC分类号： H01M4/36 , H01M4/62 , H01M4/13 , H01M10/0525
摘要： 本发明涉及一种复合正极材料及其制备方法与应用。该复合正极材料的制备方法中，分别采用前驱体A和含硼前驱体B在正极活性材料的同一表面交替进行原子层沉积，制备复合正极材料；所述原子层沉积的温度为30℃～500℃，压力为0.1Pa～1000Pa；所述前驱体A为氧单质、含氧无机物及金属有机化合物中的至少一种；所述含硼前驱体B为硼酸酯。
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公开(公告)号：CN115198252B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202210303352.9
申请日：2022-03-25
申请人： 华中科技大学 , 华中科技大学无锡研究院
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/04
摘要： 本发明涉及一种原子层沉积设备及原子层沉积薄膜的制备方法。本发明提供的原子层沉积设备包括：反应室，其具有反应腔，所述反应腔中设置有第一基片承载台和电极板，所述第一基片承载台用于承载基片，所述电极板位于所述第一基片承载台的上方；电源系统，其第一电极与所述第一基片承载台电连接，第二电极与所述电极板电连接，所述电源系统用于在所述第一基片承载台和所述电极板之间形成电场，以诱导用于在所述基片上沉积出的薄膜的生长取向。
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公开(公告)号：CN118737800A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410944630.8
申请日：2024-07-15
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本申请涉及一种区域原子层处理装置及方法，涉及区域原子层处理技术领域。喷射件包括本体，所述本体具有喷射侧和非喷射侧，所述喷射侧用于喷射反应物和隔离物，且所述本体包括设置于所述非喷射侧的多个进气口、设于所述本体内部的多个流道及设置于所述喷射侧的多个出气口；各所述进气口分别对应一个所述流道和一个所述出气口，且相邻两个所述出气口中，一个所述出气口用于喷射反应物，另一个所述出气口用于喷射隔离物。本申请可减少样品表面的处理时间，提升效率。
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公开(公告)号：CN112774665B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202110129828.7
申请日：2021-01-29
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于莫来石型催化剂领域，具体涉及一种提高氨气选择性的莫来石型催化剂及制备方法和应用。本发明制备方法包括以下步骤：(1)测定莫来石的吸水率，按照吸水率以及负载量配制改性剂溶液，将莫来石浸渍在改性剂溶液中获得中间体；(2)将中间体干燥后焙烧，获得莫来石型催化剂，所述改性剂为Al2O3、TiO2、ZrO2和Nb2O5中的一种。本发明结合了密度泛函的理论计算方法，表明莫来石上氨气选择性氧化中生成N2的主反应，以及生成N2O副反应的势垒差别，并通过改性剂提高莫来石对N的电子对吸引进而提高NH的吸附强度和数量以降低生成N2主反应势垒，提高莫来石的N2选择性，能够在180℃前达到90％的转化率并具备大于70％的N2选择性。
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公开(公告)号：CN113540375A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110625785.1
申请日：2021-06-04
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H01L51/52 , C23C16/30 , C23C16/40 , C23C16/455
摘要： 本发明涉及一种干涉滤光膜及其制备方法和发光装置，包括如下步骤：在基材上依次形成层叠且交替的高折射率材料薄膜和低折射率材料薄膜；其中，基材上的最内层薄膜为第一层高折射率材料薄膜，第一层高折射率材料薄膜采用热原子层渗透工艺沉积形成，第一层高折射率材料薄膜的沉积步骤包括依次进行的使前驱体渗透至基材的前驱体渗透阶段及沉积形成第一层高折射率材料薄膜的原子层沉积阶段；除第一层薄膜之外，其他各薄膜的沉积工艺独立地选自原子层沉积工艺或PEALD工艺；各高折射率材料薄膜和各低折射率材料薄膜的沉积温度均不大于110℃。本发明制备方法能够有效地避免制膜工艺导致发光器件失效的问题，且制得的干涉滤光膜具有较好的滤波和增透性能。
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公开(公告)号：CN112751046A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011618463.6
申请日：2020-12-31
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于催化剂领域，具体涉及一种金属单原子负载型碳基电催化剂及其制备方法和应用。本发明制备方法包括：将金属活性前驱放入反应器上游，将氮掺杂碳载体或氮掺杂碳载体前驱放入反应器下游，通入载气使载气从反应器上游移动至反应器下游，高温煅烧后得到碳基电催化剂，所述金属活性前驱为金属氧化物粉末和卤化盐粉末的混合物。本发明利用廉价的金属氧化物和卤化盐作为金属前驱原料，高温熔融盐与氧化物反应形成熔点较低的中间产物，有效提高金属氧化物表面金属物质的发射效率，并以单原子形式均匀的铆钉在氮掺杂碳的表面，制备工艺简单有效，绿色环保，对于促进锌空电池和燃料电池的应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN110718645B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910906165.8
申请日：2019-09-24
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于发光二极管制备领域，并具体公开了一种钙钛矿量子点发光二极管的制备方法及产品。所述方法包括：将洁净的ITO玻璃表面进行活化处理；将活化处理后的ITO玻璃表面依次沉积一层ZnO薄膜和Al2O3薄膜；在Al2O3薄膜表面旋涂量子点溶液，以获取量子点薄膜；在量子点薄膜表面沉积一层Al2O3薄膜；在Al2O3薄膜表面依次制备一层TPD空穴传输层、MoO3空穴注入层和电极铝。本发明产品采用上述制备方法制备得到。本发明制备方法工艺简单便捷，所制备得到的产品具有较高的载流子注入、传输能力和稳定性，可以保护QLED器件不受破坏，无机物的引入使器件的稳定性得到明显的提高，从而改善器件的发光性能。
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公开(公告)号：CN109576673B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201811502555.0
申请日：2018-12-10
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： C23C16/455 , B82Y40/00
摘要： 本发明属于真空镀膜相关技术领域，并公开了一种用于微纳米颗粒充分分散包覆的超声流化原子层沉积装置，其包括载气及反应前驱体供给组件、反应腔体和超声振动组件，其中载气及反应前驱体供给组件为原子层沉积反应提供全区体反应物、载气和吹扫过程中需要的惰性气体；反应腔体作为原子层沉积反应的发生区域，前驱体进入反应腔体部分在基底表面沉积成膜；超声振动组件用于产生超声振动并传递给反应腔体部分，破解微纳米颗粒之间的软团聚，使颗粒在原子层沉积反应过程中处于分散状态，实现薄膜在单个颗粒表面的生长。通过本发明，能够克服大批量粉体颗粒仅在气流作用下无法完全流化分散的缺点，使纳米颗粒在气流和超声振动作用下获得更充分的分散。
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