发明授权
CN1087720C 半导体陶瓷及由其制得的电子元件
失效 - 权利终止
- 专利标题: 半导体陶瓷及由其制得的电子元件
- 专利标题(英): Semiconducting ceramic and electronic element fabricated from the same
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申请号: CN99103602.6申请日: 1999-03-04
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公开(公告)号: CN1087720C公开(公告)日: 2002-07-17
- 发明人: 新见秀明 , 川本光俊 , 中山晃庆 , 上野哲 , 浦原良一
- 申请人: 株式会社村田制作所
- 申请人地址: 日本京都府长冈京市
- 专利权人: 株式会社村田制作所
- 当前专利权人: 株式会社村田制作所
- 当前专利权人地址: 日本京都府长冈京市
- 代理机构: 上海专利商标事务所
- 代理商 林蕴和
- 优先权: 53626/98 1998.03.05 JP
- 主分类号: C04B35/468
- IPC分类号: C04B35/468 ; H01B3/12 ; H01C7/02
摘要:
本发明提供了一种以钛酸钡为基的半导体陶瓷,它呈现优良的PTC特性,可在低于1000℃的温度烧结。本发明也提供了由该陶瓷制得的电子元件。所述的半导体陶瓷包括含有下列物质的半导体性的烧结钛酸钡:氧化硼,选自钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素的至少一种金属的氧化物;以及(可任选的)选自钛、锡、锆、铌、钨和锑的至少一种金属的氧化物;所掺入的氧化硼的数量,按硼原子计算,满足以下关系:0.005≤B/β≤0.50和1.0≤B/(α-β)≤4.0其中α表示半导体陶瓷中所含钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素原子的总数,β表示半导体陶瓷中所含钛、锡、锆、铌、钨和锑原子的总数。
公开/授权文献
- CN1228397A 半导体陶瓷及由其制得的电子元件 公开/授权日:1999-09-15