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    半导体陶瓷材料和使用它的电子元器件
    4.
    发明授权
    半导体陶瓷材料和使用它的电子元器件 失效

    公开(公告)号：CN1198289C

    公开(公告)日：2005-04-20

    申请号：CN00136081.7

    申请日：2000-12-08

    申请人： 株式会社村田制作所

    发明人： 新见秀明 ,  安藤阳 ,  川本光俊 ,  児玉雅弘

    IPC分类号： H01C7/02 ,  H01B3/12 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622

    CPC分类号： C04B35/468

    摘要： 本发明揭示一种半导体陶瓷材料和使用它的电子元器件。包含钛酸钡(BaTiO3)并具有正电阻温度系数的这种半导体陶瓷材料耐压能力高。在这种半导体陶瓷材料中，在第一温度范围和第二温度范围之间的边界上的边界温度比居里温度高180℃或者更高(例如370℃)，其中第一温度范围高于居里温度，并且在这种范围内陶瓷材料具有正电阻温度系数，第二温度范围高于第一温度范围，并且在这种范围内陶瓷材料具有负电阻温度系数。

    半导体陶瓷及由其制得的电子元件
    6.
    发明授权
    半导体陶瓷及由其制得的电子元件 失效

    公开(公告)号：CN1087720C

    公开(公告)日：2002-07-17

    申请号：CN99103602.6

    申请日：1999-03-04

    申请人： 株式会社村田制作所

    发明人： 新见秀明 ,  川本光俊 ,  中山晃庆 ,  上野哲 ,  浦原良一

    IPC分类号： C04B35/468 ,  H01B3/12 ,  H01C7/02

    CPC分类号： H01C7/025

    摘要： 本发明提供了一种以钛酸钡为基的半导体陶瓷，它呈现优良的PTC特性，可在低于1000℃的温度烧结。本发明也提供了由该陶瓷制得的电子元件。所述的半导体陶瓷包括含有下列物质的半导体性的烧结钛酸钡：氧化硼，选自钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素的至少一种金属的氧化物；以及(可任选的)选自钛、锡、锆、铌、钨和锑的至少一种金属的氧化物；所掺入的氧化硼的数量，按硼原子计算，满足以下关系：0.005≤B/β≤0.50和1.0≤B/(α-β)≤4.0其中α表示半导体陶瓷中所含钡、锶、钙、铅、钇和稀土元素原子的总数，β表示半导体陶瓷中所含钛、锡、锆、铌、钨和锑原子的总数。

    带有变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器及其制造方法
    8.
    发明公开
    带有变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN105706199A

    公开(公告)日：2016-06-22

    申请号：CN201480061284.3

    申请日：2014-10-16

    申请人： 株式会社村田制作所

    发明人： 川本光俊

    IPC分类号： H01G4/12 ,  H01B3/12 ,  H01G4/30

    CPC分类号： H01G4/1281 ,  H01B3/12 ,  H01C7/10 ,  H01G4/0085 ,  H01G4/12 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/232 ,  H01G4/248 ,  H01G4/30 ,  H01G4/35

    摘要： 具有由SrTiO3系晶界绝缘型的半导体陶瓷形成的多个半导体陶瓷层(1a～1g)、和多个内部电极层(2a～2f)被交替层叠并烧结而成的部件基体(4)。所述半导体陶瓷的结晶粒子的平均粒径为1.0μm以下，并且，表示所述结晶粒子的粒径偏差的变动系数为30％以下。称量规定量的Sr化合物、Ti化合物以及供体化合物并混合粉碎，制作预烧粉末，将分散剂与受体化合物一起添加进行湿式混合之后，制作热处理粉末，将该热处理粉末浆料化并进行过滤处理，使用该被过滤处理的浆料来进行制作。由此，实现了即使ESD反复产生也能够抑制绝缘性的降低、能够确保所希望的电特性的耐久性优良的带有变阻器功能的层叠型半导体陶瓷电容器及其制造方法。