- 专利标题: 一种ZrH2添加的Y2O3-W基次级发射体的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of Y2O3-W basic secondary emitter with ZrH2 addition
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申请号: CN201810615636.5申请日: 2018-06-14
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公开(公告)号: CN108878234A公开(公告)日: 2018-11-23
- 发明人: 王金淑 , 华亚周 , 周帆 , 刘伟 , 王飞飞 , 赖陈 , 焦鹏 , 骆凯捷 , 周文元
- 申请人: 北京工业大学
- 申请人地址: 北京市朝阳区平乐园100号
- 专利权人: 北京工业大学
- 当前专利权人: 北京工业大学
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区平乐园100号
- 代理机构: 北京思海天达知识产权代理有限公司
- 代理商 张立改
- 主分类号: H01J9/04
- IPC分类号: H01J9/04 ; H01J1/144 ; H01J1/146
摘要:
一种ZrH2添加的Y2O3‑W基次级发射体的制备方法,属于阴极材料的制备技术领域。以制备得到的Y2O3均匀掺杂的钨粉和411铝酸盐为基础,制备出含有激活剂ZrH2添加的浸渍型稀土钨基次级阴极,并对其热发射性能和次级发射性能进行了测试。发现有激活剂ZrH2添加的稀土钨基次级阴极的热发射性能和次级发射性能最为优异,它的零场发射电流密度是无ZrH2添加稀土钨基次级阴极的3.1‑3.4倍,它的最大次级发射系数是无ZrH2添加稀土钨基次级阴极的1.2倍。采用所述方法制备激活剂ZrH2添加的Y2O3‑W基次级发射体,具有优异的热发射性能和次级发射性能,有望应用在大功率磁控管中。
公开/授权文献
- CN108878234B 一种ZrH2添加的Y2O3-W基次级发射体的制备方法 公开/授权日:2020-02-11