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发明公开
CN108963072A 半导体结构及其形成方法 无效 - 撤回

半导体结构及其形成方法
摘要：
一种半导体结构包括一底电极、一第一存储元件、一第二存储元件、及一顶电极。第一存储元件设置在底电极上。第一存储元件包括一第一氧化物材料。第二存储元件设置在第一存储元件上。第二存储元件包括不同于第一氧化物材料的一第二氧化物材料。顶电极设置在第二存储元件上。顶电极包括一顶电极材料。第一氧化物材料和第二氧化物材料中的至少一者为顶电极材料的一氧化物。
摘要（英）：

The invention discloses a semiconductor structure, which comprises a bottom electrode, a first storage element, a second storage element, and a top electrode. The first storage element is arranged onthe bottom electrode. The first storage element comprises a first oxide material. The second storage element is arranged on the first storage element. The second storage element comprises a second oxide material that is different from the first oxide material. The top electrode is arranged on the second storage element. The top electrode comprises a top electrode material. At least one of the first oxide material and the second oxide material is monoxide of the top electrode material.

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