公开(公告)号：CN117637601A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202211061737.5

申请日：2022-08-31

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 李岱萤 ,  黄裕超

IPC分类号： H01L21/768

摘要： 本公开提供一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括栓塞与在栓塞上的通孔。栓塞包括钨栓塞与在钨栓塞上的导电层。钨栓塞与导电层包括不同材料。钨栓塞具有在横方向上的第一宽度。导电层具有在横方向上的第二宽度。第二宽度大于等于第一宽度。通孔电性连接栓塞。导电层介于通孔与钨栓塞之间。

公开(公告)号：CN117558313A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202210978192.8

申请日：2022-08-15

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 王匀远 ,  吕政宪 ,  李岱萤 ,  李明修 ,  李峯旻

IPC分类号： G11C11/402 ,  G11C11/407 ,  G11C11/22 ,  G06E3/00 ,  G06N10/80

摘要： 本公开提供一种存储器装置及其运算方法，该存储器装置包括：存储器阵列，用于处理模型运算。该存储器阵列包括至少一个存储器子阵列及至少一个运算单元，该至少一个存储器子阵列包括：多个存储单元，及多条第一信号线、多条第二信号线与多条第三信号线，多个存储单元产生多个源极电流，多个源极电流流经多条第一信号线以产生多个共源极电流，多个共源极电流送至至少一个运算单元，多个存储单元的第一部分产生多个共源极电流的第一部分，多个存储单元的第二部分产生多个共源极电流的第二部分；至少一个运算单元根据多个共源极电流的第一部分以计算模型运算的局部能量的第一部分，根据多个共源极电流的第二部分以计算模型运算的局部能量的第二部分。

公开(公告)号：CN115035934A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202110293503.2

申请日：2021-03-16

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 王匀远 ,  李岱萤

IPC分类号： G11C13/00

摘要： 本发明公开了一种存储器装置及其操作方法。存储器装置包括：一存储器阵列，具有多个存储器单元；多个位线，耦接至该存储器阵列；多个字线，耦接至该存储器阵列；以及多个电导可控单元，耦接至该存储器阵列，其中，这些存储器单元的一存储器单元群组与这些电导可控单元的至少一电导可控单元形成一逻辑运算单元，该逻辑运算单元的一逻辑运算功能由该至少一电导可控单元的一等效电导而决定。

公开(公告)号：CN109801938B

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201711130187.7

申请日：2017-11-15

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 李岱萤 ,  李峰旻 ,  林昱佑

IPC分类号： H01L27/24 ,  H01L45/00

摘要： 一种接触开口结构，包括：基材、层间介电层、导电层以及绝缘覆盖层。层间介电层位于基材之上，且具有第一开口。导电层位于层间介电层中。绝缘覆盖层具有位于第一开口的第一侧壁上的间隙壁，其中间隙壁与导电层接触，并在第一开口中定义出一个第二开口，以将一部分导电层暴露在外。

公开(公告)号：CN109801938A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201711130187.7

申请日：2017-11-15

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 李岱萤 ,  李峰旻 ,  林昱佑

IPC分类号： H01L27/24 ,  H01L45/00

摘要： 一种接触开口结构，包括：基材、层间介电层、导电层以及绝缘覆盖层。层间介电层位于基材之上，且具有第一开口。导电层位于层间介电层中。绝缘覆盖层具有位于第一开口的第一侧壁上的间隙壁，其中间隙壁与导电层接触，并在第一开口中定义出一个第二开口，藉以将一部分导电层暴露在外。

公开(公告)号：CN108963072A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201710389531.8

申请日：2017-05-27

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 王超鸿 ,  蒋光浩 ,  李峰旻 ,  林昱佑 ,  李岱萤

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/24 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16

摘要： 一种半导体结构包括一底电极、一第一存储元件、一第二存储元件、及一顶电极。第一存储元件设置在底电极上。第一存储元件包括一第一氧化物材料。第二存储元件设置在第一存储元件上。第二存储元件包括不同于第一氧化物材料的一第二氧化物材料。顶电极设置在第二存储元件上。顶电极包括一顶电极材料。第一氧化物材料和第二氧化物材料中的至少一者为顶电极材料的一氧化物。

公开(公告)号：CN108962313A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201710366000.7

申请日：2017-05-23

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 林榆瑄 ,  吴昭谊 ,  李岱萤

IPC分类号： G11C13/00

CPC分类号： G11C13/0069

摘要： 一种存储器操作方法及存储器操作装置。存储器操作方法包括以下步骤。执行一第一步进循环及执行一第二步进循环。在第一步进循环中，施加于一第一控制线的一第一控制电压由一第一起始值增加至一第一最终值，且施加于一第二控制线的一第二控制电压固定于一第二起始值。第一最终值高于第一起始值。在第二步进循环中，施加于第一控制线的第一控制电压固定于一固定值，且施加于该第二控制线的第二控制电压由一中介值增加至一第二最终值。第二最终值高于第二起始值。

公开(公告)号：CN106711144A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201510783459.8

申请日：2015-11-16

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 赖二琨 ,  蒋光浩 ,  李岱萤

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8239

摘要： 本发明提供了一种立体存储器元件及其制造方法。该立体存储元件包括：半导体基材、源极线、栅极线以及多个串接存储单元。半导体基材具有一凸出部。源极线位于半导体基材之中并且延伸于凸出部的下方。栅极线包围且覆盖于凸出部上，并与凸出部和源极线电性隔离。多个串接存储单元位于基材上方，并与凸出部的顶端串接。

公开(公告)号：CN115939077A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202111125165.8

申请日：2021-09-24

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 吕政宪 ,  王匀远 ,  李岱萤

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L21/48 ,  H01L21/768

摘要： 本公开提供一种半导体结构。该半导体结构包括一基板、一穿孔、一衬层、一势垒层和一导体。穿孔贯穿基板，衬层形成在穿孔的侧壁上，势垒层形成在衬层上。势垒层包括一导电性2D材料。导体填充穿孔的剩余空间。

公开(公告)号：CN109904187B

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN201810052603.4

申请日：2018-01-19

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 赖二琨 ,  李岱萤 ,  李峰旻

IPC分类号： H01L27/24 ,  H01L45/00

摘要： 本揭露提供一种基于氧化钨存储元件的存储装置及其制造方法。存储装置包括一插塞，插塞从基板的顶表面向上延伸穿过一介电层；一底电极，底电极的外表面具有钨，底电极从插塞的顶表面向上延伸；一绝缘材料，绝缘材料环绕底电极并且与底电极的外表面的钨接触；一存储元件，位于底电极的上表面，存储元件包括一氧化钨化合物，且存储元件可编程为至少两种电阻态；以及一顶电极，顶电极上覆并接触存储元件。插塞具有一第一侧向尺寸，底电极具有一侧向尺寸，侧向尺寸平行于插塞的第一侧向尺寸，且侧向尺寸小于插塞的第一侧向尺寸。