公开(公告)号：CN111090414A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201910409187.3

申请日：2019-05-16

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 李明修 ,  王超鸿

IPC分类号： G06F7/544

摘要： 本发明公开了一种用来执行乘积和运算的半导体装置。半导体装置用来执行一乘积和运算。半导体装置包括一输入电路、一缩放电路、一计算存储器及一输出电路。输入电路用来接收多个输入信号。输入信号为电压或是电流的其中的一个。缩放电路连接于输入电路，以分别转换这些输入信号为多个补偿信号。补偿信号为电压或是电流的其中的一个。计算存储器连接于缩放电路。计算存储器包括多个计算存储单元，且这些补偿信号分别施加于这些计算存储单元。输出电路连接于计算存储器，以读取这些计算存储单元的一输出信号。输出信号为电压或是电流的其中的另一个。

公开(公告)号：CN110729011B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN201910147878.0

申请日：2019-02-27

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 林榆瑄 ,  王超鸿 ,  李明修

IPC分类号： G11C11/54 ,  G06N3/063 ,  G06N3/04

摘要： 本发明公开了一种用于类神经网路的存储器内运算装置，该存储器内运算装置包括多个突触层。此些突触层包括一第一类型突触层及一第二类型突触层。第一类型突触层包括多个第一类型存储单元，第二类型的突触层包括多个第二类型存储单元。第一类型存储单元相异于第二类型存储单元。第一类型存储单元和第二类型存储单元可以是不同类型的存储器，具有不同的结构、不同的存储器材料及/或不同的读/写算法，任一其中之一可导致稳定性或数据储存准确性的变化。

公开(公告)号：CN110729010A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201811207804.3

申请日：2018-10-17

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 林榆瑄 ,  王超鸿

IPC分类号： G11C11/54 ,  G06N3/06

摘要： 本发明公开了一种半导体电路及其操作方法。半导体电路的操作方法包括以下步骤：在第一时间操作存储器电路以获得第一存储器状态信号S1；第一时间之后的第二时间操作存储器电路以获得第二存储器状态信号S2；计算第一存储器状态信号S1和第二存储器状态信号S2的差异以获得状态差异信号SD；计算以得到未补偿输出数据信号OD，未补偿输出数据信号OD相关于输入数据信号ID和第二存储器状态信号S2；以及对状态差异信号SD与未补偿输出数据信号OD进行计算以获得补偿输出数据信号OD’。

公开(公告)号：CN108963072A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201710389531.8

申请日：2017-05-27

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 王超鸿 ,  蒋光浩 ,  李峰旻 ,  林昱佑 ,  李岱萤

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/24 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/16

摘要： 一种半导体结构包括一底电极、一第一存储元件、一第二存储元件、及一顶电极。第一存储元件设置在底电极上。第一存储元件包括一第一氧化物材料。第二存储元件设置在第一存储元件上。第二存储元件包括不同于第一氧化物材料的一第二氧化物材料。顶电极设置在第二存储元件上。顶电极包括一顶电极材料。第一氧化物材料和第二氧化物材料中的至少一者为顶电极材料的一氧化物。

公开(公告)号：CN111882025A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201910794951.3

申请日：2019-08-26

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 王超鸿 ,  林榆瑄 ,  魏旻良 ,  李岱萤

IPC分类号： G06N3/04 ,  G06N3/063 ,  G06N3/08

摘要： 本发明公开了一种存储器装置及其操作方法，该存储器装置用于实现一人工神经网络，该操作方法包括：从该存储器装置读出该人工神经网络的多层中的一目前层的一权重矩阵，以取出多个神经值；判断是否进行校正；当判断要进行校正时，重新计算并更新这些神经值的一平均值与一变异值；以及利用这些神经值的该平均值与该变异值来进行批正规化。

公开(公告)号：CN110858502A

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201810970278.X

申请日：2018-08-23

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 林榆瑄 ,  林昱佑 ,  李峰旻 ,  王超鸿 ,  曾柏皓 ,  许凯捷

IPC分类号： G11C16/34 ,  G11C16/06

摘要： 一种多重状态存储器元件包括：第一存储器单元、第二存储器单元、第一控制单元以及第二控制单元。第二存储器单元具有与第一存储器单元实质相同的存储单元结构，并与第一存储器单元串接。第一控制单元与第一存储器单元串联或并联。第二控制单元，具有与第一控制单元相同的特征值以及相同连接结构，用以与第二存储器单元电性连接。当第一存储器单元经由第一控制单元接收第一信号和第二信号时，第一存储器单元分别产生第一状态值和第二状态值；其中特征值介于第一状态值第二状态值之间。

公开(公告)号：CN110838542A

公开(公告)日：2020-02-25

申请号：CN201810927758.8

申请日：2018-08-15

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 王超鸿 ,  李岱萤 ,  蒋光浩 ,  林榆瑄 ,  陈宗铭

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/24

摘要： 本发明公开了一种电阻式存储器元件及其制作方法，该电阻式存储器元件包括：第一电极层、电阻转态层以及第二电极层。电阻转态层位于第一电极层上，且包括三元过渡金属氧化物。第二电极层，位于该电阻转态层上。

公开(公告)号：CN109509833A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201710837736.8

申请日：2017-09-15

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 李岱萤 ,  王超鸿 ,  吴声柏 ,  李明修

IPC分类号： H01L45/00

摘要： 一种半导体装置，包括一底电极、一半导体层、以及一顶电极。半导体层配置于底电极上。顶电极配置于半导体层上，其中半导体层环绕一部分的顶电极。

公开(公告)号：CN109509833B

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN201710837736.8

申请日：2017-09-15

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 李岱萤 ,  王超鸿 ,  吴声柏 ,  李明修

IPC分类号： H10N70/20

摘要： 一种半导体装置，包括一底电极、一半导体层、以及一顶电极。半导体层配置于底电极上。顶电极配置于半导体层上，其中半导体层环绕一部分的顶电极。

公开(公告)号：CN111090414B

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN201910409187.3

申请日：2019-05-16

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 李明修 ,  王超鸿

IPC分类号： G06F7/544

摘要： 本发明公开了一种用来执行乘积和运算的半导体装置。半导体装置用来执行一乘积和运算。半导体装置包括一输入电路、一缩放电路、一计算存储器及一输出电路。输入电路用来接收多个输入信号。输入信号为电压或是电流的其中的一个。缩放电路连接于输入电路，以分别转换这些输入信号为多个补偿信号。补偿信号为电压或是电流的其中的一个。计算存储器连接于缩放电路。计算存储器包括多个计算存储单元，且这些补偿信号分别施加于这些计算存储单元。输出电路连接于计算存储器，以读取这些计算存储单元的一输出信号。输出信号为电压或是电流的其中的另一个。