发明公开
CN109075019A 半导体器件和制造方法
审中-实审
- 专利标题： 半导体器件和制造方法
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申请号： CN201780024743.4申请日： 2017-03-09
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公开(公告)号： CN109075019A公开(公告)日： 2018-12-21
- 发明人: R·亚拉尼安 , S·扎莫达兰
- 申请人： 洛克引线框架私人有限公司
- 申请人地址： 新加坡新加坡城
- 专利权人： 洛克引线框架私人有限公司
- 当前专利权人： 洛克引线框架私人有限公司
- 当前专利权人地址： 新加坡新加坡城
- 代理机构： 北京戈程知识产权代理有限公司
- 代理商 程伟; 王锦阳
- 国际申请： PCT/SG2017/050115 2017.03.09
- 国际公布： WO2017/155469 EN 2017.09.14
- 进入国家日期： 2018-10-19
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00 ; H05K3/00 ; C23F1/00 ; C25D3/12 ; C25D3/40 ; C25D3/46
摘要：
本发明涉及引线框架或柔性印刷电路(FPC)以及制造GAM值大于2.0的引线框架或FPC的方法。所述方法包括对经电解清洁的引线框架或FPC进行微蚀刻步骤，以提供经微蚀刻的引线框架或FPC；或者对经电解清洁的引线框架或FPC进行镀铜工序，以提供双重镀铜的引线框架或FPC。随后对经微蚀刻的引线框架或者双重镀铜的引线框架或FPC进行亮沉积镀镍工序、银触击电镀工序、亮银电镀工序和随后的银剥离工序，以提供镜面亮银引线框架或FPC。
IPC分类:
