发明授权
- 专利标题： 半导体开关元件
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申请号： CN201680082465.3申请日： 2016-12-26
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公开(公告)号： CN109075196B公开(公告)日： 2021-09-03
- 发明人: 斋藤顺 , 青井佐智子 , 浦上泰
- 申请人： 丰田自动车株式会社 , 株式会社电装
- 申请人地址： 日本爱知县丰田市;
- 专利权人： 丰田自动车株式会社,株式会社电装
- 当前专利权人： 丰田自动车株式会社,株式会社电装
- 当前专利权人地址： 日本爱知县丰田市;
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理商 韩峰; 孙志湧
- 优先权： 2016-035555 20160226 JP
- 国际申请： PCT/JP2016/005221 2016.12.26
- 国际公布： WO2017/145210 EN 2017.08.31
- 进入国家日期： 2018-08-23
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/739 ; H01L29/06
摘要：
提供了一种沟槽栅半导体开关元件。该元件的半导体衬底包括：第二导电类型的底部区，其在沟槽的底表面处与栅极绝缘层接触；以及第一导电类型的第二半导体区，其从与体区的下表面接触的位置延伸到与底部区的下表面接触的位置，并且在体区的下侧与栅极绝缘层接触。底部区包括：低浓度区，其在底表面之中的位于沟槽在纵向上的端部处的第一范围中与栅极绝缘层接触；以及高浓度区，其在底表面之中的与第一范围相邻的第二范围中与栅极绝缘层接触。
公开/授权文献
- CN109075196A 半导体开关元件 公开/授权日：2018-12-21
IPC分类:
