半导体结构及其制造方法

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专利标题： 半导体结构及其制造方法
申请号： CN201711290240.X

申请日： 2017-12-08
公开(公告)号： CN109103262B

公开(公告)日： 2023-02-28
发明人: 陈奕升 , 陈自强 , 张智胜 , 吴政宪
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址： 中国台湾新竹
专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
当前专利权人地址： 中国台湾新竹
代理机构： 北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理商 章社杲; 李伟
优先权： 15/628,345 20170620 US
主分类号： H01L29/786
IPC分类号： H01L29/786 ; H01L21/336

摘要：

形成半导体器件的方法包括：提供半导体结构，半导体结构包括从第一区延伸到第二区的第一半导体材料。该方法还包括去除第二区中的第一半导体材料的部分以形成凹槽，该凹槽暴露设置在第一区中的第一半导体材料的侧壁；形成覆盖侧壁的介电材料；当介电材料覆盖侧壁时，在邻近介电材料的第二区中外延生长第二半导体材料；以及形成包括第一半导体材料的第一鳍和和包括第二半导体材料的第二鳍。本发明的实施例还涉及半导体结构及其制造方法。

公开/授权文献

CN109103262A 半导体结构及其制造方法公开/授权日：2018-12-28

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/786	......薄膜晶体管