发明公开
- 专利标题： 半导体装置
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申请号： CN201780031618.6申请日： 2017-04-06
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公开(公告)号： CN109155255A公开(公告)日： 2019-01-04
- 发明人: 樽见浩幸 , 小山和博 , 阴泳信 , 星真一
- 申请人： 株式会社电装
- 申请人地址： 日本爱知县
- 专利权人： 株式会社电装
- 当前专利权人： 株式会社电装
- 当前专利权人地址： 日本爱知县
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 吕文卓
- 优先权： 2016-103352 2016.05.24 JP
- 国际申请： PCT/JP2017/014410 2017.04.06
- 国际公布： WO2017/203849 JA 2017.11.30
- 进入国家日期： 2018-11-22
- 主分类号： H01L21/338
- IPC分类号： H01L21/338 ; H01L21/336 ; H01L21/337 ; H01L29/778 ; H01L29/78 ; H01L29/808 ; H01L29/812
摘要：
将JG电极(11)与源极电极(8)经由电极层(13)直接连结。由此，能够减小寄生阻抗(50)的电阻值，实现JG电极(11)与源极电极(8)之间的阻抗减小。此外，将u－GaN层(4)及p－GaN层(10)从漏极电极(9)离开而配置。由此，能够使p－GaN层(4)与2DEG的对置面积变小，能够减小反馈电容(C1)。这样，通过实现JG电极(11)与源极电极(8)之间的阻抗减小及反馈电容(C1)的减小，能够使将反馈电容(C1)充电时流动的电流(Ijg)变大。由此，能够将反馈电容(C1)以高速充电，能够使JFET部(40)高速截止，所以能够使开关器件的关断更高速化。
公开/授权文献
- CN109155255B 半导体装置 公开/授权日：2021-08-27
IPC分类:
