本发明属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种半封闭式屏蔽栅IEGT器件结构，半导体基板包括第一导电类型漂移层，在第一导电类型漂移层内的上部设有第二导电类型体区、沟槽及第一导电类型发射极，第二导电类型体区、第一导电类型发射极均与沟槽一侧邻接，在沟槽内设有被第一氧化层和第二氧化层一侧包裹的多晶硅栅极、位于第一氧化层外侧的半包围多晶硅栅极的半封闭式屏蔽栅，半封闭式屏蔽栅被第二氧化层包裹，第二氧化层紧贴沟槽内壁；本发明器件通过在多晶硅栅极外面设置有半包围的半封闭式屏蔽栅，能够有效消除器件在开启和关断时产生的横向感应电流，避免了栅极电压过冲的现象，减小了寄生电容，同时加快了开关速度，减小了开关损耗。