发明授权
- 专利标题: 靶材装置、溅射装置
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申请号: CN201780038787.2申请日: 2017-06-16
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公开(公告)号: CN109312450B公开(公告)日: 2021-01-12
- 发明人: 白井雅纪 , 山本拓司 , 高泽悟 , 石桥晓
- 申请人: 株式会社爱发科
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 株式会社爱发科
- 当前专利权人: 株式会社爱发科
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 刘书航; 闫小龙
- 优先权: 2016-123050 2016.06.21 JP
- 国际申请: PCT/JP2017/022263 2017.06.16
- 国际公布: WO2017/221821 JA 2017.12.28
- 进入国家日期: 2018-12-21
- 主分类号: C23C14/35
- IPC分类号: C23C14/35
摘要:
本发明提供一种靶材使用效率高的靶材装置和溅射装置。将导磁率高于垫板(21)的导磁率的环状的高导磁率板(27)的表面(33)配置于与外侧磁体(25)的上端和内侧磁体(26)的上端所处的磁体平面(31)一致、或者比磁体平面(31)更接近溅射靶材(22)的位置,将背面(32)配置于与磁体平面(31)一致、或者比磁体平面(31)更远离于溅射靶材(22)的位置。从外侧磁体(25)的上端或内侧磁体(26)的上端释放出的磁力线中的位于下方的一部分磁力线进入高导磁率板(27),通过内部并进入内侧磁体(26)的上端或外侧磁体(25)的上端,因此位于上方的磁力线变为与溅射靶材(22)的溅射面(24)平行,靶材使用效率提高。
公开/授权文献
- CN109312450A 靶材装置、溅射装置 公开/授权日:2019-02-05
IPC分类: