-
公开(公告)号：CN101680079B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200880018458.2
申请日：2008-08-20
申请人： 株式会社爱发科
CPC分类号： C23C14/086 , C23C14/35 , H01L31/1884 , Y02E10/50
摘要： 本发明的透明导电膜的形成方法为对具备透明导电膜的形成材料的靶施加溅射电压，同时在上述靶的表面上产生水平磁场来进行溅射，在基板上形成以ZnO为基本构成成分的透明导电膜的方法，使上述溅射电压在340V以下来进行上述溅射。
-
公开(公告)号：CN102666909A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080051495.0
申请日：2010-11-16
申请人： 株式会社爱发科
CPC分类号： C23C14/3414 , C23C14/08
摘要： 本发明提供一种透明导电膜的制造方法，无需使用水蒸气就可形成具有良好蚀刻特性及导电特性的透明导电膜。本发明的实施方式涉及的透明导电膜的制造方法包括：通过溅射靶材从而在基板上形成铟锡氧化物薄膜的工序，其中所述靶材包含由氧化铟组成的第一组分，由氧化锡组成的第二组分，以及由选自La、Nd、Dy、Eu、Gd、Tb、Zr、Al、Si、Ti及B的至少一种元素或其氧化物组成的第三组分；利用蚀刻液使所述铟锡氧化物薄膜进行图案化的工序；通过热处理使所述铟锡氧化物薄膜结晶的工序。由此，成膜不久后的ITO薄膜可以利用弱酸蚀刻，并且，可以对该ITO膜赋予期望的导电特性。
-
公开(公告)号：CN101529567B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200780040499.7
申请日：2007-12-26
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L21/3205 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L21/285 , H01L21/336 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/2855 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/16 , H05K3/388 , H01L2924/00
摘要： 形成密接性优良、低电阻的布线膜。在配置有成膜对象物(21)的真空槽(2)中导入氧气，对纯铜靶(11)进行溅射，在成膜对象物(21)的表面上形成以铜为主要成分且含有氧的阻挡膜(22)之后，停止氧气的导入，对纯铜靶(11)进行溅射，形成纯铜的低电阻膜(23)。因为阻挡膜(22)和低电阻膜(23)以铜为主要成分，所以能够一次进行溅射。由于低电阻膜(23)与阻挡膜22相比是低电阻，所以，布线膜(25)整体成为低电阻。由于阻挡膜(22)针对玻璃或硅的密接性高，所以，布线膜(25)整体的密接性也高。
-
公开(公告)号：CN101884006B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200980101242.7
申请日：2009-01-20
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： G02F1/1343 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01B13/00
CPC分类号： C23C14/086 , G02F1/1303 , G02F1/13439
摘要： 本发明的液晶显示装置的制造方法，为至少具备夹持液晶层的一对基板和在该一对基板的液晶层侧重合而形成的像素电极，在所述一对基板中，至少任意一方的所述基板的像素电极由将氧化锌作为基本构成材料的透明导电膜构成的液晶显示装置的制造方法，具备使用用由氧化锌系材料形成的靶，通过用溅射法在所述基板上形成氧化锌系透明导电膜而形成所述像素电极的工序，在所述像素电极的形成工序中，在含有选自氢气、氧气、水蒸气中的两种或者三种的气氛中实施溅射。
-
公开(公告)号：CN102066601A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200980122546.1
申请日：2009-07-03
申请人： 株式会社爱发科
CPC分类号： G06F3/045 , C23C14/0036 , C23C14/086
摘要： 该触摸面板的制造方法为包括具有形成透明导电膜(13)的主面(11a)的透明基板(11)的触摸面板(1)的制造方法，通过在含有选自氢气、氧气和水蒸气中的两种或三种的反应性气体气氛中使用由氧化锌类材料形成的靶(27)进行溅射法，在所述透明基板(11)的所述主面(11a)上形成所述透明导电膜(13)。
-
公开(公告)号：CN101978094A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980109274.1
申请日：2009-03-10
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： C23C14/35 , H01J37/3408 , H01J37/3444
摘要： 本发明的目的在于提供一种可以在长时间内生长具有均匀的膜厚分布的薄膜的磁控溅射技术。本发明的磁控溅射装置(1)具有：真空槽(2)；阴极部(6)，设置在真空槽2内，并且具有其正面侧支承标靶(7)、其背面侧支承多个磁体(12)的垫板(8)；和直流电源(30)，向阴极部(6)供给直流电。相对于垫板(8)，在标靶(7)侧的放电空间内设置有多个可以独立地进行电位控制的控制电极(21、22)。
-
公开(公告)号：CN101180417B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200680018096.8
申请日：2006-10-05
申请人： 株式会社爱发科
CPC分类号： C23C14/352 , C23C14/086 , C23C14/568 , H01J37/3266 , H01J37/32752 , H01J37/34 , H01J37/3408 , H01J37/347
摘要： 本发明提供一种靶的使用效率高的溅射装置。本发明的溅射装置(1)具有移动部件(28a、28b)，移动部件(28a、28b)可使第一、第二磁铁部件(23a、23b)在与第一、第二靶(21a、21b)的表面平行的面内移动。如果第一、第二磁铁部件(23a、23b)移动，则磁力线也移动，第一、第二靶(21a、21b)表面的高侵蚀区域也移动，因此第一、第二靶(21a、21b)表面的广泛区域可被溅射。
-
公开(公告)号：CN101790796A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200880104843.9
申请日：2008-09-17
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , C23C14/08 , C23C14/35
CPC分类号： H01L31/1884 , C23C14/086 , H01L31/022466 , Y02E10/50
摘要： 本发明的太阳能电池的制造方法是，所述太阳能电池包括：在设置于光入射侧的相反侧并作为功率取出电极发挥作用的背面电极与光伏电池之间配置的缓冲层、或者在多个光伏电池之间配置的中间电极，所述中间电极或者所述缓冲层由以ZnO为基本构成元素的透明导电膜构成。所述太阳能电池的制造方法包括：对包含所述透明导电膜的形成材料的靶施加溅射电压的同时，使所述靶的表面产生水平磁场来进行溅射，从而形成所述中间电极或者所述缓冲层的步骤，在形成所述中间电极或者所述缓冲层的步骤中，将所述溅射电压设为340V以下来进行溅射。
-
公开(公告)号：CN101790795A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200880104798.7
申请日：2008-09-17
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , C23C14/08 , C23C14/35
CPC分类号： H01L31/1884 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/35 , H01L31/022483 , H01L31/076 , Y02E10/548
摘要： 本发明公开了太阳能电池的制造方法，上述太阳能电池包括光入射侧的发挥作为功率提取电极的功能的上部电极，上述上部电极包括将ZnO作为基本构成元素的透明导电膜，上述制造方法包括向具备上述透明导电膜的形成材料的靶施加340V以下的溅射电压的同时，使上述靶的表面产生水平磁场来进行溅射，从而形成上述上部电极的工序。
-
公开(公告)号：CN101529566A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780040402.2
申请日：2007-12-26
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L21/3205 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L21/285 , H01L21/336 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/2855 , H01L23/53233 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/16 , H05K3/388 , H01L2924/00
摘要： 形成密合性和阻挡(barrier)性优异、电阻值低的布线膜。向配置了成膜对象物21的真空槽2导入氧气，在包含氧的真空气氛中，溅镀以铜为主成分并含有从Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成添加元素群选择的至少一种添加元素的溅镀靶11，在成膜对象物21表面形成第一金属膜23，然后在停止导入氧气的状态下，对溅镀靶11进行溅镀，在第一金属膜23表面形成第二金属膜24之后，蚀刻第一、第二金属膜23、24而形成布线膜。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
97 条记录 (耗时 0.036 秒)
