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公开(公告)号：CN107109635A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680004797.X
申请日：2016-09-21
申请人： 株式会社爱发科
摘要： 本发明提供不发生电弧放电，而可在树脂基板上形成不剥落的导电膜的溅射靶。在具有由树脂构成的基体的加工基板32上形成有合金薄膜的溅射靶55中，相对于含有多于50原子%的Cu、以5原子%以上且40原子%以下的范围含有Ni、且以3原子%以上且10原子%以下的范围含有Al的100原子%的基材，以0.01原子%以上的含有率含有由Zn和Mn中的任一种或两种构成的添加物。由于得到无孔隙的溅射靶，所以不发生电弧放电。
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公开(公告)号：CN101680079B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200880018458.2
申请日：2008-08-20
申请人： 株式会社爱发科
CPC分类号： C23C14/086 , C23C14/35 , H01L31/1884 , Y02E10/50
摘要： 本发明的透明导电膜的形成方法为对具备透明导电膜的形成材料的靶施加溅射电压，同时在上述靶的表面上产生水平磁场来进行溅射，在基板上形成以ZnO为基本构成成分的透明导电膜的方法，使上述溅射电压在340V以下来进行上述溅射。
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公开(公告)号：CN101529567B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200780040499.7
申请日：2007-12-26
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L21/3205 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L21/285 , H01L21/336 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/2855 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/16 , H05K3/388 , H01L2924/00
摘要： 形成密接性优良、低电阻的布线膜。在配置有成膜对象物(21)的真空槽(2)中导入氧气，对纯铜靶(11)进行溅射，在成膜对象物(21)的表面上形成以铜为主要成分且含有氧的阻挡膜(22)之后，停止氧气的导入，对纯铜靶(11)进行溅射，形成纯铜的低电阻膜(23)。因为阻挡膜(22)和低电阻膜(23)以铜为主要成分，所以能够一次进行溅射。由于低电阻膜(23)与阻挡膜22相比是低电阻，所以，布线膜(25)整体成为低电阻。由于阻挡膜(22)针对玻璃或硅的密接性高，所以，布线膜(25)整体的密接性也高。
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公开(公告)号：CN101180417B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200680018096.8
申请日：2006-10-05
申请人： 株式会社爱发科
CPC分类号： C23C14/352 , C23C14/086 , C23C14/568 , H01J37/3266 , H01J37/32752 , H01J37/34 , H01J37/3408 , H01J37/347
摘要： 本发明提供一种靶的使用效率高的溅射装置。本发明的溅射装置(1)具有移动部件(28a、28b)，移动部件(28a、28b)可使第一、第二磁铁部件(23a、23b)在与第一、第二靶(21a、21b)的表面平行的面内移动。如果第一、第二磁铁部件(23a、23b)移动，则磁力线也移动，第一、第二靶(21a、21b)表面的高侵蚀区域也移动，因此第一、第二靶(21a、21b)表面的广泛区域可被溅射。
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公开(公告)号：CN101790796A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200880104843.9
申请日：2008-09-17
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , C23C14/08 , C23C14/35
CPC分类号： H01L31/1884 , C23C14/086 , H01L31/022466 , Y02E10/50
摘要： 本发明的太阳能电池的制造方法是，所述太阳能电池包括：在设置于光入射侧的相反侧并作为功率取出电极发挥作用的背面电极与光伏电池之间配置的缓冲层、或者在多个光伏电池之间配置的中间电极，所述中间电极或者所述缓冲层由以ZnO为基本构成元素的透明导电膜构成。所述太阳能电池的制造方法包括：对包含所述透明导电膜的形成材料的靶施加溅射电压的同时，使所述靶的表面产生水平磁场来进行溅射，从而形成所述中间电极或者所述缓冲层的步骤，在形成所述中间电极或者所述缓冲层的步骤中，将所述溅射电压设为340V以下来进行溅射。
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公开(公告)号：CN101790795A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200880104798.7
申请日：2008-09-17
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , C23C14/08 , C23C14/35
CPC分类号： H01L31/1884 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/35 , H01L31/022483 , H01L31/076 , Y02E10/548
摘要： 本发明公开了太阳能电池的制造方法，上述太阳能电池包括光入射侧的发挥作为功率提取电极的功能的上部电极，上述上部电极包括将ZnO作为基本构成元素的透明导电膜，上述制造方法包括向具备上述透明导电膜的形成材料的靶施加340V以下的溅射电压的同时，使上述靶的表面产生水平磁场来进行溅射，从而形成上述上部电极的工序。
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公开(公告)号：CN101529566A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780040402.2
申请日：2007-12-26
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L21/3205 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L21/285 , H01L21/336 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/2855 , H01L23/53233 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/16 , H05K3/388 , H01L2924/00
摘要： 形成密合性和阻挡(barrier)性优异、电阻值低的布线膜。向配置了成膜对象物21的真空槽2导入氧气，在包含氧的真空气氛中，溅镀以铜为主成分并含有从Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成添加元素群选择的至少一种添加元素的溅镀靶11，在成膜对象物21表面形成第一金属膜23，然后在停止导入氧气的状态下，对溅镀靶11进行溅镀，在第一金属膜23表面形成第二金属膜24之后，蚀刻第一、第二金属膜23、24而形成布线膜。
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公开(公告)号：CN102484137B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201080038623.8
申请日：2010-08-24
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/417
CPC分类号： H01L23/53238 , G02F1/1368 , G02F2201/501 , G02F2202/28 , H01L27/1225 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供不从氧化物半导体或氧化物薄膜剥离，此外铜原子不扩散至氧化物半导体或氧化物薄膜中的电极膜。以Cu-Mg-Al薄膜的高密接性阻挡膜(37)和铜薄膜(38)构成电极层，使高密接性阻挡膜(37)与氧化物半导体或氧化物薄膜接触。高密接性阻挡膜(37)中，在铜、镁、及铝的合计原子数为100at％时，含有镁0.5at％以上5at％以下，含有铝5at％以上15at％以下，在此范围内可兼顾密接性与阻挡性。源极电极层(51)和漏极电极层(52)与氧化物半导体层(34)接触，所以该电极层为合适的，还能将由氧化物构成的停止层(36)配置在电极层的下层。
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公开(公告)号：CN104103730A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410134682.5
申请日：2014-04-04
申请人： 株式会社爱发科
IPC分类号： H01L33/40
摘要： 本发明涉及具有接触电阻小、透射率提高的辅助电极的半导体装置。为了将p型半导体层（17）与正电极（21）电连接，在p型半导体层（17）与正电极（21）之间设有辅助电极层（10）。该辅助电极层（10）由与p型半导体层（17）接触的透明的Ag层（18）和透明的金属氧化物层（19）构成，使接触电阻比未设置Ag层（18）时降低而使透射率提高。多重量子阱层（16）的发光光通过辅助电极层（10）放出到外部。
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