Invention Publication
- Patent Title: 一种高硼元素含量硅硼碳氮前驱体及其制备方法
-
Application No.: CN201811271757.9Application Date: 2018-10-29
-
Publication No.: CN109369918APublication Date: 2019-02-22
- Inventor: 许艺芬 , 胡继东 , 冯志海 , 孙新
- Applicant: 航天材料及工艺研究所 , 中国运载火箭技术研究院
- Applicant Address: 北京市丰台区南大红门路1号
- Assignee: 航天材料及工艺研究所,中国运载火箭技术研究院
- Current Assignee: 航天材料及工艺研究所,中国运载火箭技术研究院
- Current Assignee Address: 北京市丰台区南大红门路1号
- Agency: 中国航天科技专利中心
- Agent 范晓毅
- Main IPC: C08G77/62
- IPC: C08G77/62 ; C04B35/58

Abstract:
本发明涉及一种高硼元素含量硅硼碳氮前驱体及其制备方法,将含不饱和基团的一官能度、二官能度、三官能度氯硅烷与三氯化硼和六甲基二硅氮烷按一定比例在低温下混合均匀,升温反应完全,在低温条件下按一定比例滴加1,3-二乙基环硼氮烷,反应物充分反应,最后减压蒸馏出溶剂及反应产生的副产物,得到淡黄色粘稠状液体或固体产物即为SiBCN陶瓷前驱体,本发明合成方法采用“双硼源”法制备新型聚硼硅树脂,制备的SiBCN陶瓷硼元素含量可达20%,避免了硼元素含量低,对陶瓷耐高温及抗氧化性能提高不明显的问题,本发明前驱体的元素组成调节范围广,可制备得到适合用作耐高温涂层、纤维增强体以及陶瓷基复合材料基体的具有不同元素组成以及加工性能的树脂。
Information query