Invention Grant
- Patent Title: 半导体存储器件
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Application No.: CN201810901544.3Application Date: 2018-08-09
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Publication No.: CN109390340BPublication Date: 2024-03-15
- Inventor: 金熙中 , 赵珉熙 , 金奉秀 , 金俊秀 , 山田悟 , 李元锡 , 黄有商
- Applicant: 三星电子株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 张波
- Main IPC: H10B12/00
- IPC: H10B12/00
Abstract:
提供了半导体存储器件。一种半导体存储器件包括在第一沟槽中的隔离层和在隔离层上的第一栅电极部分。该半导体存储器件包括在第二沟槽中的第二栅电极部分。在一些实施方式中，第二栅电极部分在一方向上比第一栅电极部分宽。而且，在一些实施方式中，第二沟槽的上部区域比第二沟槽的下部区域在所述方向上与第一沟槽间隔开更大的距离。还提供了形成半导体存储器件的相关方法。
Public/Granted literature
- CN109390340A 半导体存储器件 Public/Granted day:2019-02-26
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