发明公开
CN109390398A 半导体结构
无效 - 撤回
- 专利标题： 半导体结构
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申请号： CN201710660042.1申请日： 2017-08-04
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公开(公告)号： CN109390398A公开(公告)日： 2019-02-26
- 发明人: 陈永翔 , 杨怡箴
- 申请人： 旺宏电子股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
- 专利权人： 旺宏电子股份有限公司
- 当前专利权人： 旺宏电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 任岩
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/08
摘要：
一种半导体结构，包括一基板、一第一源极/漏极区、一第二源极/漏极区、一通道掺杂区、和一栅极结构。第一源极/漏极区设置于基板中。第一源极/漏极区包括一第一区和一第二区，第二区位于第一区下。第二源极/漏极区设置于基板中。第二源极/漏极区与第一源极/漏极区相对设置。通道掺杂区设置于基板中，位于第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间。栅极结构设置于通道掺杂之上。在平行于基板之上表面的一投影面中，第一源极/漏极区的第二区与栅极结构分离。第一源极/漏极区、第二源极/漏极区、和通道掺杂区具有相同导电类型。
IPC分类:
