本发明提供一种半导体薄膜四象限光照传感器及其制备方法。该传感器具有多层结构，从光入射面由表及里依次为光阑、衬底、顶电极、半导体薄膜光电转化层、背电极和保护层；所述传感器顶电极、半导体薄膜光电转化层、背电极具有阵列结构，其中每个单元所包含的顶电极、半导体薄膜光电转化层、背电极相互连通，单元之间的半导体薄膜光电转化层、背电极彼此不连通。本发明所述传感器的光电转化层为半导体薄膜材料，使器件阻抗显著增加，提高了测量稳定性。本发明所述制备方法，使器件加工精度显著增加，提高了测量精确度。