一种钙钛矿电池组件及其制备方法

    公开(公告)号:CN117337062A

    公开(公告)日:2024-01-02

    申请号:CN202311450187.0

    申请日:2023-11-02

    摘要: 本发明公开一种钙钛矿电池组件及其制备方法,属于钙钛矿太阳电池技术领域。本发明钙钛矿太阳能电池组件从底层依次为基底、ITO透明导电层、第一载流子传输层、钙钛矿吸收层、第二载流子传输层、顶电极和结构保护层,结构保护层为氧化物保护层、氮化物保护层、硫化物保护层、碳化物保护层中的一层或两层以上的复合层,可以采用磁控溅射法或者热蒸法或者电子束蒸发法制备,厚度为20‑100nm,本申请中钙钛矿电池组件的结构保护层在金属顶电极层之上,结构保护层对延展性好的金属层施以一定的压力,可以有效防止金属层翘起而出现毛刺,有利于降低P3短路风险。

    一种钙钛矿电池电荷传输层的制备方法

    公开(公告)号:CN114220925A

    公开(公告)日:2022-03-22

    申请号:CN202111510064.2

    申请日:2021-12-10

    IPC分类号: H01L51/48 H01L51/44

    摘要: 本发明属于钙钛矿电池技术领域,具体为一种钙钛矿电池电荷传输层的制备方法。通过原子层沉积可以将各种金属氧化物制备成P型半导体电子传输层薄膜或N型半导体空穴传输层薄膜,薄膜的厚度可以通过原子层沉积系统中设定的工艺参数进行控制,厚度偏差控制到单原子直径的厚度。本发明具有操作简单,制成的薄膜纯度高、质量好,薄膜厚度可控制,效率高等优势,是制备钙钛矿电池电荷传输层的绝佳选择。对于正式结构的钙钛矿电池,制备的N型半导体空穴传输层薄膜可以作为钙钛矿半导体材料薄膜的保护层;对于反式结构的钙钛矿电池,制备的P型半导体电子传输层薄膜可以作为钙钛矿半导体材料薄膜的保护层。

    一种用于狭缝涂布设备的高均匀性涂头装置及其使用方法

    公开(公告)号:CN114192342A

    公开(公告)日:2022-03-18

    申请号:CN202111540091.4

    申请日:2021-12-15

    摘要: 本发明提供一种用于狭缝涂布设备的高均匀性涂头装置及其使用方法,装置为免打料泵系统的第一涂头装置或带有打料泵系统的第二涂头装置,该涂头装置既可用于免打料泵系统的狭缝涂布设备,也可用于常规的带有打料泵系统的狭缝涂布设备。第一涂头装置主要包括耐腐蚀的不变形材质的半片涂头、光滑耐腐蚀的不变形材质的圆柱型滚轮、耐腐蚀的不变形材质的弹簧管以及可精密调节的压力计。工作过程中,通过支架实现涂头装置的升降,使滚轮底部外表面与衬底表面充分接触,运行平台带着衬底水平移动,目标溶液经容纳腔室流至滚轮外表面,利用滚轮的滚动将目标溶液连续均匀涂敷在衬底表面形成薄膜。本发明可大面积、连续性,高均匀性的涂敷溶液,有更低成本。

    一种真空热蒸镀用一体化蒸发源

    公开(公告)号:CN112981327A

    公开(公告)日:2021-06-18

    申请号:CN201911275234.6

    申请日:2019-12-12

    IPC分类号: C23C14/24

    摘要: 本发明提供一种真空蒸镀用一体化蒸发源,属于真空蒸镀技术领域,解决了一般热蒸发中加热不均匀性和热惯性大的问题,极大的简化了加热机构。本发明的真空蒸镀用坩埚组件主要包括坩埚和电极座两部分。其中坩埚两端为纯银电极涂层,电极间均为加热部分,镀有电热涂层。此坩埚组件结构简单,发热快速,发热体是坩埚本身,坩埚受热均匀,且热惯性小,能实现快速升温和降温,能实现蒸发速率的快速调控,达到蒸镀速率的稳定性。

    一种用于制备钙钛矿太阳能电池的团簇式真空沉积系统

    公开(公告)号:CN109904327B

    公开(公告)日:2020-12-15

    申请号:CN201711282358.8

    申请日:2017-12-07

    IPC分类号: H01L51/48

    摘要: 本发明涉及太阳能电池制造技术领域,特别涉及一种用于制备钙钛矿太阳能电池的团簇式真空沉积系统。包括进/出样腔室、中央腔室、机械传输装置及多个沉积腔室,其中进/出样腔室及多个沉积腔室沿周向设置于中央腔室的周围、且均与中央腔室连通,进/出样腔室及多个沉积腔室与中央腔室之间均设有闸板阀,机械传输装置设置于中央腔室内,且用于将装有样品基底的托架在各腔室之间传输,多个沉积腔室内沉积制备钙钛矿太阳能电池的各层结构。本发明全部使用真空沉积法机械化自动制备各层薄膜,有助于提高钛矿太阳能电池的稳定性和均匀性,也能在大规模生产中提高产品的良率。

    一种钙钛矿电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN111261745A

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN201811450984.8

    申请日:2018-11-30

    IPC分类号: H01L31/18 H01L31/032

    摘要: 本发明提供了一种无机钙钛矿电池及其制备方法。本发明采用无机钙钛矿材料制备钙钛矿电池,并采用镧系金属卤化物对钙钛矿层/电子传输层进行界面修饰以制备高质量无机钙钛矿电池。本发明中的无机钙钛矿电池优势在于无机钙钛矿材料热稳定性良好,具有优良的抗紫外能力,同时其吸光范围可控,有利于调控电池的光响应范围。本发明提出的界面修饰方法区别于常规的掺杂方法,可以更加明显提高器件光电性能。