- 专利标题： 一种CMOS图像传感器像素结构及其制备、使用方法
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申请号： CN201811598009.1申请日： 2018-12-26
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公开(公告)号： CN109599408B公开(公告)日： 2022-05-03
- 发明人: 韩恒利 , 龚婧
- 申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
- 申请人地址： 重庆市南岸区南坪花园路14号
- 专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
- 当前专利权人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
- 当前专利权人地址： 重庆市南岸区南坪花园路14号
- 代理机构： 重庆辉腾律师事务所
- 代理商 卢胜斌
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146
摘要：
本发明属于光电探测领域的图像传感器，提出了一种CMOS图像传感器像素结构及其制备、使用方法；所述像素结构包括P型衬底，所述P型衬底包括由下至上设置的光敏区、倍增区以及像元区域；所述像元区域位于P型衬底的顶部的左侧或由右侧，所述像元区域上形成有深N阱电子通道，并连通至倍增区；本发明通过在像素部分对探测到的光子所形成的光生载流子进行倍增，从而提高器件探测微弱光的灵敏度，进而提升了CMOS图像传感器在微光下的探测成像能力。
公开/授权文献
- CN109599408A 一种CMOS图像传感器像素结构及其制备、使用方法 公开/授权日：2019-04-09
IPC分类:
