-
公开(公告)号：CN109599408B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201811598009.1
申请日：2018-12-26
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明属于光电探测领域的图像传感器，提出了一种CMOS图像传感器像素结构及其制备、使用方法；所述像素结构包括P型衬底，所述P型衬底包括由下至上设置的光敏区、倍增区以及像元区域；所述像元区域位于P型衬底的顶部的左侧或由右侧，所述像元区域上形成有深N阱电子通道，并连通至倍增区；本发明通过在像素部分对探测到的光子所形成的光生载流子进行倍增，从而提高器件探测微弱光的灵敏度，进而提升了CMOS图像传感器在微光下的探测成像能力。
-
公开(公告)号：CN104867952B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201510215780.6
申请日：2015-04-30
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 一种提高硅基背照式图像传感器紫外光响应的方法，其创新在于：在制作硅基背照式图像传感器的过程中，采用湿法腐蚀或者干法刻蚀对背面注入层进行处理，去除背面注入层上的死区，然后再进行后续工艺操作；本发明的有益技术效果是：能提高硅基背照式图像传感器的紫外响应。
-
公开(公告)号：CN103337505A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310220610.8
申请日：2013-06-05
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 一种背照式图像传感器制作方法，其改进在于：先在外延硅片上制作钝化层，再制作光吸收层，最后制作表面结构。本发明的有益技术效果是：可解决现有技术中只能使用设备价格高昂、操作复杂、加工效率低下的激光（脉冲）退火技术来对钝化层进行激活的缺陷，提高器件的加工效率，降低生产成本，节省能源。
-
公开(公告)号：CN113113441B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202110394941.8
申请日：2021-04-13
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L27/148
摘要： 本发明属于CCD器件技术领域，特别涉及一种避免边缘出现杂散信号的背照式CCD结构，该结构包括：衬底、背面介质层以及背面金属层；所述背面介质层设置在所述衬底上，所述背面金属层设置在所述背面介质层上；所述背面介质层上设置有接触孔，所述接触孔将背面金属层与衬底连通，形成背照式CCD结构；本发明通过在背面介质层设置接触孔，使得背面金属层与芯片衬底电学互联，形成低阻回路，避免了由于衬底回路不畅导致的图像边缘呈现亮条的缺陷。
-
公开(公告)号：CN113113440B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202110394057.4
申请日：2021-04-13
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L27/148
摘要： 本发明属于CCD器件技术邻域，具体涉及一种抗辐射加固栅介质的EMCCD结构，该结构包括：光敏区、存储区、水平区、电子倍增寄存器以及读出放大器；光敏区的结构包括硅衬底、栅介质二氧化硅层、栅介质氮化硅层以及多晶硅层；存储区、水平区和电子倍增寄存器的介质层的结构与光敏区的结构相似；电子倍增寄存器的栅介质二氧化硅层比光敏区和存储区的栅介质二氧化硅层厚；本发明的EMCCD结构中较薄的光敏区和存储区的栅介质二氧化硅层保证了EMCCD良好的抗辐射性能，较厚的电子倍增寄存器栅介质二氧化硅层保证了EMCCD在高电压工作时良好的绝缘性，解决了因电子倍增寄存器漏电而给图像造成亮斑或者亮条的问题。
-
公开(公告)号：CN113113440A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110394057.4
申请日：2021-04-13
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L27/148
摘要： 本发明属于CCD器件技术邻域，具体涉及一种抗辐射加固栅介质的EMCCD结构，该结构包括：光敏区、存储区、水平区、电子倍增寄存器以及读出放大器；光敏区的结构包括硅衬底、栅介质二氧化硅层、栅介质氮化硅层以及多晶硅层；存储区、水平区和电子倍增寄存器的介质层的结构与光敏区的结构相似；电子倍增寄存器的栅介质二氧化硅层比光敏区和存储区的栅介质二氧化硅层厚；本发明的EMCCD结构中较薄的光敏区和存储区的栅介质二氧化硅层保证了EMCCD良好的抗辐射性能，较厚的电子倍增寄存器栅介质二氧化硅层保证了EMCCD在高电压工作时良好的绝缘性，解决了因电子倍增寄存器漏电而给图像造成亮斑或者亮条的问题。
-
-
公开(公告)号：CN109599408A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811598009.1
申请日：2018-12-26
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 本发明属于光电探测领域的图像传感器，提出了一种CMOS图像传感器像素结构及其制备、使用方法；所述像素结构包括P型衬底，所述P型衬底包括由下至上设置的光敏区、倍增区以及像元区域；所述像元区域位于P型衬底的顶部的左侧或由右侧，所述像元区域上形成有深N阱电子通道，并连通至倍增区；本发明通过在像素部分对探测到的光子所形成的光生载流子进行倍增，从而提高器件探测微弱光的灵敏度，进而提升了CMOS图像传感器在微光下的探测成像能力。
-
公开(公告)号：CN107871311A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201711058317.0
申请日：2017-11-01
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
CPC分类号： G06T5/002 , G06T5/40 , G06T5/50 , G06T7/11 , G06T2207/20064 , G06T2207/20221
摘要： 本发明公开了一种应用于CMOS图像传感器的图像增强和融合方法，具体来讲，针对CMOS图像传感器输出的图像数据，首先对图像进行分割处理，将一幅图像分成两幅图像，再对两幅新的图像进行画质增强处理，使图像的对比度得到调制，随后进行图像降噪处理，降低前级图像处理带来的噪声，以满足后续处理对图像质量的需求，然后对两幅图像分别进行小波分解，最后对小波处理后的图像进行融合和小波逆变换处理，以得到还原后的最终输出图像。本发明一种应用于CMOS图像传感器的图像增强和融合方法解决了因噪声引起的图像失真或畸变问题、增强了画质质量和图像通透性、保持图像边缘细节，同时实现了在有限的平台资源上实现实时处理。
-
公开(公告)号：CN103400847B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201310352108.2
申请日：2013-08-14
申请人： 中国电子科技集团公司第四十四研究所
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 一种制作CCD二次或二次以上多晶硅的工艺，通过在前一次刻蚀操作中形成的过刻蚀区，来为后续的层间氮化硅层提供空间；本发明的有益技术效果是：在不改变多晶硅淀积工艺的前提下，可有效降低各次多晶硅层之间的层间介质厚度，保证不同位置处的层间介质厚度的均一性，提高器件品质。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
21 条记录 (耗时 0.036 秒)
