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发明公开
CN109643730A 单电子晶体管(SET)和基于SET的QUBIT检测器设备 有权

  • 专利标题： 单电子晶体管(SET)和基于SET的QUBIT检测器设备
  • 专利标题（英）： SINGLE ELECTRON TRANSISTORS (SETS) AND SET-BASED QUBIT-DETECTOR ARRANGEMENTS
  • 申请号： CN201680088879.7
    申请日： 2016-09-30
  • 公开(公告)号： CN109643730A
    公开(公告)日： 2019-04-16
  • 发明人: H.C.乔治 , J.S.克拉克
  • 申请人： 英特尔公司
  • 申请人地址： 美国加利福尼亚州
  • 专利权人： 英特尔公司
  • 当前专利权人： 英特尔公司
  • 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
  • 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
  • 代理商 黄涛; 刘春元
  • 国际申请： PCT/US2016/054613 2016.09.30
  • 国际公布： WO2018/063269 EN 2018.04.05
  • 进入国家日期： 2019-02-28
  • 主分类号： H01L29/775
  • IPC分类号： H01L29/775 ;  H01L29/78 ;  H01L29/73
单电子晶体管(SET)和基于SET的QUBIT检测器设备
摘要：
本文公开的是单电子晶体管(SET)装置以及相关方法和装置。在一些实施例中，一种SET装置可包括：第一和第二源极/漏极(S/D)电极；多个岛，被布置在第一和第二S/D电极之间；和介电材料，被布置在所述岛的相邻岛之间，布置在第一S/D电极和相邻的所述岛中的岛之间，并且布置在第二S/D电极和相邻的所述岛中的岛之间。
摘要（英）：

Disclosed herein are single electron transistor (SET) devices, and related methods and devices. In some embodiments, a SET device may include: first and second source/drain (S/D) electrodes; a plurality of islands, disposed between the first and second S/D electrodes; and dielectric material disposed between adjacent ones of the islands, between the first S/D electrode and an adjacent one of the islands, and between the second S/D electrode and an adjacent one of the islands.

公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/775 .....带有一维载流子气沟道的，如量子线FET
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