发明授权
- 专利标题: 半导体装置
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申请号: CN201810846316.0申请日: 2018-07-27
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公开(公告)号: CN109686790B公开(公告)日: 2023-11-07
- 发明人: 朴雨锡 , 宋昇珉 , 梁正吉 , 裵金钟 , 裵东一
- 申请人: 三星电子株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道水原市灵通区三星路129号
- 专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道水原市灵通区三星路129号
- 代理机构: 华进联合专利商标代理有限公司
- 代理商 刘培培; 黄隶凡
- 主分类号: H01L29/78
- IPC分类号: H01L29/78 ; H01L29/417 ; H10B10/00 ; H01L21/336
摘要:
一种半导体装置包括设置在衬底的第一区上的晶体管以及设置在衬底的第二区上的非有源组件,晶体管包括:源极/漏极区;多个沟道层,在分别连接源极/漏极区的同时在与衬底的上表面垂直的方向上彼此间隔开;栅极电极,环绕多个沟道层中的每一者;以及栅极绝缘体,位于栅极电极与多个沟道层之间。非有源组件包括:鳍结构,包括交替地堆叠的多个第一半导体图案与多个第二半导体图案;外延区,邻近鳍结构;非有源电极,与鳍结构相交;以及阻挡绝缘膜,位于非有源电极与鳍结构之间。本公开的半导体装置可以高速度运行,同时可考虑在操作方面具有高度准确性以及对半导体装置中所包括的晶体管的结构进行优化。
公开/授权文献
- CN109686790A 半导体装置 公开/授权日:2019-04-26