- 专利标题: 对薄膜进行计量分析的装置及方法与获得薄膜性质的方法
- 专利标题(英): Apparatus and method of performing metrology analysis on thin film and method for obtaining thin film property
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申请号: CN201811019709.0申请日: 2018-09-03
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公开(公告)号: CN109786277A公开(公告)日: 2019-05-21
- 发明人: 应继锋 , 牛宝华 , 苏纮仪
- 申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
- 专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人: 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
- 代理机构: 北京派特恩知识产权代理有限公司
- 代理商 康艳青; 姚开丽
- 优先权: 62/585,207 2017.11.13 US
- 主分类号: H01L21/66
- IPC分类号: H01L21/66
摘要:
一种对薄膜执行计量分析的方法包括:将辐射耦合到邻近所述薄膜的表面设置的光学元件中。所述辐射被耦合成使得所述辐射在所述光学元件与所述薄膜之间的界面处被全内反射。在所述界面处产生的消散辐射穿透所述薄膜。所述方法还包括:分析被所述薄膜散射的所述消散辐射以获得所述薄膜的性质。
公开/授权文献
- CN109786277B 对薄膜进行计量分析的装置及方法与获得薄膜性质的方法 公开/授权日:2021-04-30
IPC分类: