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公开(公告)号：CN110660905B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN201910571607.8
申请日：2019-06-28
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 一些实施例中涉及存储器器件。该存储器器件包括磁阻随机存取存储器(MRAM)单元，MRAM单元包括磁隧道结(MTJ)。MTJ器件包括层的堆叠件，包括设置在衬底上方的底部电极。晶种层设置在底部电极上方。缓冲层设置在底部电极和晶种层之间。缓冲层防止扩散物质从底部电极扩散到晶种层。本发明的实施例还涉及半导体器件、MRAM器件和制造存储器器件的方法。
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公开(公告)号：CN111105824A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911033480.0
申请日：2019-10-28
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 一种磁性存储器包括：设置在衬底上方的第一自旋轨道转移-自旋扭矩转移(SOT-STT)混合磁性器件、设置在衬底上方的第二SOT-STT混合磁性器件以及连接至第一和第二SOT-STT混合磁性器件的SOT导电层。第一SOT-STT混合磁性器件和第二SOT-STT混合磁性器件中的每个包括：第一磁性层，作为磁性自由层；间隔件层，设置在第一磁性层下方；以及第二磁性层，作为磁性参考层，设置在间隔件层下方。SOT导电层设置在第一SOT-STT混合磁性器件和第二SOT-STT混合磁性器件中的每个的第一磁性层上方。本发明的实施例还涉及磁性存储器的制造方法。
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公开(公告)号：CN110649156B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201910560580.2
申请日：2019-06-26
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 本发明的实施例提供了一种磁性随机存取存储器及其制造方法。半导体器件包括磁性随机存取存储器(MRAM)单元。MRAM单元包括：设置在衬底上方的第一磁性层、由非磁性材料制成并且设置在第一磁性层上方的第一非磁性材料层、设置在第一非磁性材料层上方的第二磁性层，以及设置在第二磁性层上方的第二非磁性材料层。第二磁性层包括彼此分离的多个磁性材料片。
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公开(公告)号：CN110838315B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201910759607.0
申请日：2019-08-16
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 一种写入磁性随机存取存储器单元的方法包括：将交流信号施加到具有第一磁取向的磁性随机存取存储器单元，以及将直流脉冲施加到磁性随机存取存储器单元以将磁性随机存取存储器单元的磁取向从第一磁取向改变为第二磁取向。第一磁取向和第二磁取向不同。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法、写入MRAM单元的电路。
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公开(公告)号：CN110729005A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910635581.9
申请日：2019-07-15
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 一种制造磁性随机存取存储器单元的阵列的方法包括写入磁性随机存取存储器单元。写入存储器单元包括确定所述存储器单元的阵列的最佳写入电流；以及将所述最佳写入电流应用于所述阵列中的第一存储器单元。将第一读取电流应用于第一存储器单元以响应于应用所述最佳写入电流，确定第一存储器单元的磁取向是否已经改变。当第一存储器单元的磁取向没有改变时，将第二写入电流应用于第一存储器单元。第二写入电流不同于最佳写入电流。将第二读取电流应用于第一存储器单元，以响应于应用第二读取电流，确定第一存储器单元的磁取向是否改变。本发明实施例还涉及写入磁性随机存取存储器单元的方法。
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公开(公告)号：CN110660905A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910571607.8
申请日：2019-06-28
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 一些实施例中涉及存储器器件。该存储器器件包括磁阻随机存取存储器(MRAM)单元，MRAM单元包括磁隧道结(MTJ)。MTJ器件包括层的堆叠件，包括设置在衬底上方的底部电极。晶种层设置在底部电极上方。缓冲层设置在底部电极和晶种层之间。缓冲层防止扩散物质从底部电极扩散到晶种层。本发明的实施例还涉及半导体器件、MRAM器件和制造存储器器件的方法。
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公开(公告)号：CN110649156A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910560580.2
申请日：2019-06-26
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 本发明的实施例提供了一种磁性随机存取存储器及其制造方法。半导体器件包括磁性随机存取存储器(MRAM)单元。MRAM单元包括：设置在衬底上方的第一磁性层、由非磁性材料制成并且设置在第一磁性层上方的第一非磁性材料层、设置在第一非磁性材料层上方的第二磁性层，以及设置在第二磁性层上方的第二非磁性材料层。第二磁性层包括彼此分离的多个磁性材料片。
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公开(公告)号：CN109785885A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201810479503.X
申请日：2018-05-18
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G11C13/00
摘要： 在本公开内容中，一种非易失性存储装置包括电阻式存储单元以及写入及读取电路。所述写入及读取电路耦合到所述电阻式存储单元，且被配置成对扰动交流信号与第一写入信号进行组合，以产生第二写入信号。接着，所述写入及读取电路将所述第二写入信号施加到所述电阻式存储单元来对所述电阻式存储单元进行编程。振荡信号与第一写入信号(恒定直流信号)及交流信号的组合将穿透绝缘层的屏蔽效应并使受困电荷逃脱。
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公开(公告)号：CN109765508A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201810502217.0
申请日：2018-05-23
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G01R33/10 , G01R33/032
摘要： 本揭露提供一种用于测量磁场强度的设备。所述设备包括：载台，上面放置有待测量样本；悬臂，具有尖端；光学系统，具有光源及光接收器；以及微波功率源。所述尖端是具有氮空位缺陷的金刚石尖端。所述光学系统被配置成使得来自所述光源的激发光聚焦在所述金刚石尖端处。所述悬臂被配置为同轴微波天线，来自所述微波功率源的微波经由所述同轴微波天线被供应到所述金刚石尖端。
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公开(公告)号：CN109215729A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810714056.1
申请日：2018-06-29
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G11C29/56
摘要： 本发明的实施例公开了存储器测试系统，该存储器测试系统包括存储器集成电路(IC)和存储器功能测试器。存储器IC包括多个存储体，其中，每个存储体均包括多个存储单元。存储器功能测试器包括可调电压生成器电路、读取电流测量电路和控制器。存储器功能测试器通过多个写入控制电压对存储体实施写入/读取功能测试以确定优选写入控制电压，其中，所述优选写入控制电压被指定在对操作模式期间的存储体的后续写入操作期间使用。本发明的实施例还提供了制造以及测试具有多个存储体的存储器件的方法。
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