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公开(公告)号：CN108237468A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201611216784.7
申请日：2016-12-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种厚度缩减装置及厚度缩减方法，厚度缩减装置包括旋转载台及研磨轮。旋转载台具有承载面且适于以第一转动轴为轴旋转，其中所述承载面适于承载样品。研磨轮配置于所述承载面上方，其中所述研磨轮适于以垂直所述第一转动轴的第二转动轴为轴旋转而研磨所述承载面上的所述样品，以缩减所述样品的至少局部区域的厚度。
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公开(公告)号：CN109786277B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201811019709.0
申请日：2018-09-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种对薄膜执行计量分析的方法包括：将辐射耦合到邻近所述薄膜的表面设置的光学元件中。所述辐射被耦合成使得所述辐射在所述光学元件与所述薄膜之间的界面处被全内反射。在所述界面处产生的消散辐射穿透所述薄膜。所述方法还包括：分析被所述薄膜散射的所述消散辐射以获得所述薄膜的性质。
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公开(公告)号：CN109215729B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201810714056.1
申请日：2018-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明的实施例公开了存储器测试系统，该存储器测试系统包括存储器集成电路(IC)和存储器功能测试器。存储器IC包括多个存储体，其中，每个存储体均包括多个存储单元。存储器功能测试器包括可调电压生成器电路、读取电流测量电路和控制器。存储器功能测试器通过多个写入控制电压对存储体实施写入/读取功能测试以确定优选写入控制电压，其中，所述优选写入控制电压被指定在对操作模式期间的存储体的后续写入操作期间使用。本发明的实施例还提供了制造以及测试具有多个存储体的存储器件的方法。
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公开(公告)号：CN108072613B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201610992816.6
申请日：2016-11-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N21/17
Abstract: 本发明涉及一种光学检测装置及其检测方法，所述光学检测装置包括光源、光束引导结构、第一光传感器以及处理器。光源用以发出波长介于200纳米至300纳米的激发光束。光束引导结构引导激发光束而照射在样品的薄化区域上以使薄化区域反射激发光束，且光束引导结构适于接收被薄化区域反射的激发光束。光束引导结构用以引导被薄化区域反射的激发光束至第一光传感器，且第一光传感器接收被薄化区域反射的激发光束以产生第一检测信号。处理器电耦接第一光传感器以处理第一检测信号。本申请可以满足当今小尺度的半导体组件的检测需求。
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公开(公告)号：CN109786277A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811019709.0
申请日：2018-09-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01B11/06 , G01B11/0616 , G01N21/8422 , G01N21/9501 , G01N21/956 , G03F7/2043 , G03F7/70633 , H01L22/12
Abstract: 一种对薄膜执行计量分析的方法包括：将辐射耦合到邻近所述薄膜的表面设置的光学元件中。所述辐射被耦合成使得所述辐射在所述光学元件与所述薄膜之间的界面处被全内反射。在所述界面处产生的消散辐射穿透所述薄膜。所述方法还包括：分析被所述薄膜散射的所述消散辐射以获得所述薄膜的性质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109768156A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201810823818.1
申请日：2018-07-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供了磁性随机存取存储器及其制造方法。磁性随机存取存储器的存储单元包括设置在第一金属层与第二金属层之间的多层。多层中的至少一层包括从由铱层、铱层和氧化铱层的双层结构、铱-钛氮化物层、铱层和钽层的双层结构、以及铱和钽的二元合金层组成的组中选择的一种。
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公开(公告)号：CN110649157B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN201910305463.1
申请日：2019-04-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 根据本发明的实施例，提供了一种电子器件，其包括电容器和覆盖电容器的钝化层。电容器包括第一电极、设置在第一电极上方的介电层和设置在介电层上方的第二电极。第一电极的面积大于介电层的面积，并且介电层的面积大于第二电极的面积，使得电容器的侧具有多阶梯结构。根据本发明的实施例，还提供了半导体器件以及制造电子器件的方法。
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公开(公告)号：CN108237468B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201611216784.7
申请日：2016-12-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种厚度缩减装置及厚度缩减方法，厚度缩减装置包括旋转载台及研磨轮。旋转载台具有承载面且适于以第一转动轴为轴旋转，其中所述承载面适于承载样品。研磨轮配置于所述承载面上方，其中所述研磨轮适于以垂直所述第一转动轴的第二转动轴为轴旋转而研磨所述承载面上的所述样品，以缩减所述样品的至少局部区域的厚度。
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公开(公告)号：CN111129064A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911035330.3
申请日：2019-10-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 根据本申请的实施例，提供了半导体器件。该半导体器件具有半导体层，该半导体层包括源极/漏极区、半导体层上方的第一磁性层、以及在源极/漏极区上方并与第一磁性层相邻的第一介电层。半导体器件具有延伸穿过第一介电层的金属结构、在金属结构上方的第二磁性层、以及在第一磁性层上方并与第一介电层相邻的第二介电层。另外，本申请的实施例还提供了其他半导体器件以及形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN110729005A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910635581.9
申请日：2019-07-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种制造磁性随机存取存储器单元的阵列的方法包括写入磁性随机存取存储器单元。写入存储器单元包括确定所述存储器单元的阵列的最佳写入电流；以及将所述最佳写入电流应用于所述阵列中的第一存储器单元。将第一读取电流应用于第一存储器单元以响应于应用所述最佳写入电流，确定第一存储器单元的磁取向是否已经改变。当第一存储器单元的磁取向没有改变时，将第二写入电流应用于第一存储器单元。第二写入电流不同于最佳写入电流。将第二读取电流应用于第一存储器单元，以响应于应用第二读取电流，确定第一存储器单元的磁取向是否改变。本发明实施例还涉及写入磁性随机存取存储器单元的方法。
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