发明授权
- 专利标题： 自对准双重图案方法
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申请号： CN201810018346.2申请日： 2018-01-09
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公开(公告)号： CN110021518B公开(公告)日： 2020-12-22
- 发明人: 张峰溢 , 李甫哲 , 林盈志 , 林刚毅
- 申请人： 联华电子股份有限公司 , 福建省晋华集成电路有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹市
- 专利权人： 联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司
- 当前专利权人： 联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹市
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 陈小雯
- 主分类号： H01L21/027
- IPC分类号： H01L21/027 ; H01L21/033 ; H01L21/311
摘要：
本发明公开一种自对准双重图案方法，其包含在掩模层上形成往第一方向延伸且彼此等距间隔的线结构、在该些线结构上形成有机介电层、进行一回蚀刻制作工艺，使得该些线结构的顶面与该有机介电层齐平、在该些线结构以及该有机介电层上形成依材质与该些线结构相同的层结构、在该层结构上形成往第二方向延伸且彼此等距间隔的第一间隔壁、以及以第一间隔壁为掩模进行蚀刻制作工艺来图形化该些线结构与该有机介电层。
公开/授权文献
- CN110021518A 自对准双重图案方法 公开/授权日：2019-07-16
IPC分类:
