发明公开
- 专利标题： 制造太阳能电池的方法
- 专利标题（英）： Method of manufacturing solar cell
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申请号： CN201910303829.1申请日： 2017-01-24
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公开(公告)号： CN110061096A公开(公告)日： 2019-07-26
- 发明人: 郑珠华 , 安俊勇 , 张元宰 , 金在声
- 申请人： LG电子株式会社
- 申请人地址： 韩国首尔
- 专利权人： LG电子株式会社
- 当前专利权人： 上饶市晶科绿能科技发展有限公司
- 当前专利权人地址： 江西省上饶市经济技术开发区迎宾大道3号
- 代理机构： 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理商 李辉; 刘久亮
- 优先权： 10-2016-0011825 2016.01.29 KR
- 主分类号： H01L31/18
- IPC分类号： H01L31/18 ; H01L21/324 ; H01L21/02
摘要：
制造太阳能电池的方法。根据本发明的实施方式的制造太阳能电池的方法包括以下步骤：在半导体基板上形成氧化硅膜；以及将氧化硅膜连续地暴露于570℃至700℃的范围内的温度，以对氧化硅膜进行退火。
公开/授权文献
- CN110061096B 制造太阳能电池的方法 公开/授权日：2023-02-28