- 专利标题: 一种二噻吩基乙烯-高阶萘嵌苯分子在无损读出中的应用
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申请号: CN201910267539.6申请日: 2019-04-03
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公开(公告)号: CN110136751B公开(公告)日: 2021-08-20
- 发明人: 李冲 , 熊凯 , 朱明强 , 谢诺华
- 申请人: 华中科技大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人: 华中科技大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 代理机构: 华中科技大学专利中心
- 代理商 李智
- 主分类号: G11B7/005
- IPC分类号: G11B7/005 ; G11B7/245 ; G11B7/246 ; C07D471/06 ; C09K11/06
摘要:
本发明属于新材料技术领域,更具体地,涉及一种二噻吩基乙烯‑高阶萘嵌苯分子在无损读出中的应用。该二噻吩基乙烯‑高阶萘嵌苯分子包括通过非共轭连接的高阶萘嵌苯基团与二噻吩基乙烯基团,其中,所述高阶萘嵌苯为一个,所述二噻吩基乙烯基团为一个或多个;所述高阶萘嵌苯基团为荧光团,所述二噻吩基乙烯基团为光致变色单元,用于控制所述荧光团的发光与淬灭。该近红外荧光分子开关具有极强的近红外荧光,较高的荧光开/关比,良好的可逆性和抗疲劳性,PET机制证明了TDI‑4DTE的荧光猝灭完全。
公开/授权文献
- CN110136751A 一种二噻吩基乙烯-高阶萘嵌苯分子在无损读出中的应用 公开/授权日:2019-08-16
IPC分类: