利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

110 条记录 (耗时 0.049 秒)

    信息光学储存可逆记录介质、在该介质上的可逆记录方法
    5.
    发明公开
    信息光学储存可逆记录介质、在该介质上的可逆记录方法 失效

    公开(公告)号：CN103069490A

    公开(公告)日：2013-04-24

    申请号：CN201180028438.5

    申请日：2011-04-05

    申请人： 国立科学研究中心 ,  国立昂热大学

    发明人： D·然德尔 ,  M·萨勒 ,  O·克鲁普卡 ,  K·伊利奥普洛斯

    IPC分类号： G11B7/245 ,  G11B7/25 ,  G11B7/246 ,  B82Y10/00 ,  G11B7/006

    CPC分类号： G11B7/245 ,  B82Y10/00 ,  G11B7/006 ,  G11B7/246 ,  G11B7/25 ,  G11B2007/0009

    摘要： 本发明涉及记录介质的技术领域。更具体地说，本发明涉及一种在介质材料内部光学储存至少一个信息的可逆记录介质，该记录介质包括至少一个介质材料层，包括：基本分子(M)，能够在一个局部区域(9)中具有分子(M，M′)的第一集合状态(EC1)；具有分子(M，M′)的第一集合状态(EC1)的分子(M，M′)，当受到读出电磁辐射(10)激励时，能够产生表征分子(M，M′)第一集合状态(EC2)的第一二次谐波信号(SH-2)；具有分子(M，M′)的第一集合状态(EC1)的基本分子(M)，当受到写入电磁辐射激励时，至少部分地能够转换为转换分子(M′)，以便转换为分子(M，M′)的第二集合状态(EC2)，具有分子(M，M′)的第二集合状态(EC2)分子(M，M′)，当它们受到读出电磁辐射(10)激励时，能够产生表征分子(M，M′)第二集合状态(EC2)的第二二次谐波信号(SH2)。具体而言，本发明与相应先有技术的差别在于，这些分子(M)具有基于以下式(I)类型的香豆素骨架的分子结构，式中R1对应于香豆素骨架与聚合物基质的连接位置。

    一种可录式光盘的制备方法
    6.
    发明公开
    一种可录式光盘的制备方法 无效

    公开(公告)号：CN103065649A

    公开(公告)日：2013-04-24

    申请号：CN201210589295.1

    申请日：2012-12-31

    申请人： 潮州市连思科技发展有限公司

    发明人： 郑绍鑫 ,  余焕坤 ,  彭伟鑫 ,  朱海东 ,  张汉权

    IPC分类号： G11B7/26 ,  G11B7/246 ,  G11B7/2532 ,  G11B7/2542

    摘要： 一种可录式光盘的制备方法，包括下述步骤：步骤一、烘干：将PC料送入干燥机，除去水分；步骤二、注塑基片：经过干燥的PC料由注塑机按事先准备好的模盘复制出基片；步骤三、染料旋涂：将染料均匀的涂敷在基片的上面，然后用离心机将染料甩薄，使染料在基片上形成一层薄膜；步骤四、染料碟片的烘干：将经过涂染的碟片将由输送系统输送到烤箱，恒温50~60℃，进行20分钟的染料烘干；步骤五、电镀金属层：经过烘干的染料碟片将逐个送入电镀工作站中，在真空的状态下镀金属层；步骤六、涂上保护层：在电镀后的金属层表面涂覆保护层。制备出的光盘，品相好，加工工艺简单，简单易行。并且光盘表面经过多层防护，不易刮花、导致损坏。

    使用差别化光散射的成像元件和方法
    8.
    发明公开
    使用差别化光散射的成像元件和方法 无效

    公开(公告)号：CN102119417A

    公开(公告)日：2011-07-06

    申请号：CN200980131227.7

    申请日：2009-07-24

    申请人： 伊斯曼柯达公司

    发明人： D.R.罗贝洛 ,  M.R.米斯

    IPC分类号： G11B7/244 ,  G11B7/246 ,  G11B7/245 ,  G11B7/24

    CPC分类号： G11B7/244 ,  G11B7/245 ,  G11B7/246

    摘要： 成像元件用于以由成像光化辐射所引起的折射指数差异为基础来提供图像。成像通过在两相成像介质中光散射的产生或消除来提供所需结果，其中至少一个相含有能够响应成像光化辐射而有折射指数变化的材料。例如，如果两个相的折射指数最初匹配，则成像能够在成像的区域中引起不匹配。另外，两个相的折射指数可以最初不匹配，则成像能够在成像的区域中产生折射指数的匹配。图像能够在没有任何化学加工或加热的情况下通过使用控制量的成像光化辐射来产生。

    一种双偶氮苯聚合物作为双光子光存储介质用途及结构
    9.
    发明公开
    一种双偶氮苯聚合物作为双光子光存储介质用途及结构 无效

    公开(公告)号：CN101763868A

    公开(公告)日：2010-06-30

    申请号：CN200910251404.7

    申请日：2009-12-18

    申请人： 中国科学技术大学

    发明人： 章周舜 ,  胡衍雷 ,  罗艳华 ,  王鑫 ,  武文轩 ,  田秀杰 ,  张其锦 ,  黄文浩 ,  邹纲

    IPC分类号： G11B7/245 ,  G11B7/246 ,  C08F220/14 ,  C08F220/28 ,  C08F220/36

    摘要： 一种基于双偶氮苯聚合物可擦除的双光子偏振多元、多阶、多层光存储技术。制备一种双偶氮苯聚合物作为双光子光存储介质。用线性偏振的钛：蓝宝石激光(波长：800nm，脉冲周期：80fs，重复频率：80MHz)双光子写入数据，用反射共焦激光扫描显微镜读出数据。该双偶氮苯聚合物用作双光子存储时，当读出光偏振方向从平行于写入光变化到与写入光成45°再到垂直于写入光，数据会发生由“暗点”到“消失”再到“亮点”的变化。基于这一特性，可进行偏振多元、多阶存储。写入的数据可以擦除，擦除之后还可以再写入。可以用交替成膜的方法，制备一种以双偶氮苯聚合物为存储层、聚乙烯醇(PVA)为间隔层的复合多层膜，从而可在偏振多元、多阶存储的基础上实现多层存储，这就为实现高密度光存储提供了一种新的途径。