本发明公开了一种3D NAND闪存器件及其包覆型硅纳米管的制备方法，属于3D NAND闪存领域。该包覆型硅纳米管的制备方法该存储器件以碳纳米管为模板，在所述碳纳米管内腔沉积Ni层，然后煅烧去除碳纳米管同时将Ni层氧化得到NiO纳米线，再利用化学气相沉积在NiO纳米线外部沉积Si层，最后去除NiO纳米线即得到包覆型硅纳米管。该3D NAND闪存器件由包覆型纳米管作为NAND串组成，可以有效简化器件结构，也减少了原有器件制作过程中复杂的制造工艺步骤，简化了制备过程，对降低制造成本有积极作用。同时多步模板复制法的使用使制备的纳米管管径和管壁更加均匀，管壁厚度更加可控。