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公开(公告)号：CN113921709B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202111161468.5
申请日：2021-09-30
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明涉及微电子技术领域，具体公开了一种相变存储器单元，通过高电热绝缘的非晶介质材料与八面体构型的晶态介质材料叠层生长形成介质层，其中八面体构型的晶态介质材料与相变材料结构相同，在与相变材料接触的界面为相变材料提供晶核生长中心，诱导相变材料加速结晶，而与高电热绝缘的非晶介质材料叠层生长，则可避免晶态介质材料电阻过低而带来发漏电问题，从而在不失结晶速度的前提下起到更好的绝缘作用，进而更好地防止漏电。
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公开(公告)号：CN117784450A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311844323.4
申请日：2023-12-27
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G02F1/00 , G02B27/01 , G02F1/13357 , G02F1/1335 , G02F1/1362 , G02B5/20
摘要： 本发明涉及一种基于相变材料的虚拟现实显示装置，具有高分辨率、大色域和高帧率的特性，能够提供更为真实和生动的虚拟现实体验。该显示技术主要由背光源发光组件、量子点激发层、全介质相变滤光结构、光学透镜、反射镜和装备外罩等组成。背光源发光组件包括一个LED激发光源和一个扩散板，用于产生和分散光线。该基于相变材料的虚拟现实显示技术还有着广泛的应用前景。除了可以应用于虚拟现实设备如VR头盔外，还可以用于增强现实设备如AR眼镜。在具体实施时，可以根据实际需求进行设计和调整，以提供最佳的用户体验。
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公开(公告)号：CN117784449A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311844310.7
申请日：2023-12-27
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G02F1/00 , G02B5/20 , G02F1/1335
摘要： 本发明涉及一种基于相变材料的滤光结构，该滤光结构主要由上全介质滤光结构、上全介质中间腔、相变层、下全介质中间腔、下全介质滤光结构组成。本发明的滤光结构可以解决多灰度相变滤光结构透过率低且杂光多的问题，根据实际应用调节相变层和全介质滤光结构的厚度，可以实现不同的滤光特性，具有很高的实用性和广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN117742010A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311821598.6
申请日：2023-12-27
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明涉及一种基于相变材料的激光显示技术，具有高分辨率、高帧率、光斑均匀、能耗低等特点，该激光显示技术包含激光背光源、高斯相变灰度光阀、光学投影系统、显示幕布等，本发明的激光显示技术可以广泛应用但不限于大尺寸电视、电子游戏设备、航空航天设备、军事装备或医疗设备的高分辨率需求。
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公开(公告)号：CN117672319A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311671791.6
申请日：2023-12-05
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明提供一种基于单向选通器件的动态存储单元及其操作方法，包括单向选通模块和电容；所述单向选通模块的第一端为所述动态存储单元的输入端，所述单向选通模块的第二端和所述电容的第一端连接，所述电容的第二端作为所述动态存储单元的输出端；所述单向选通模块在工作时根据操作电压转换为低阻态向所述电容充电，并在所述电容电压达到目标电压时转换为高阻态。本发明采用的单向选通模块相较于双向选通管而言，单向选通模块用的漏电流较小，并且数据保持时间较长。
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公开(公告)号：CN114854419B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202210387167.2
申请日：2022-04-13
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明属于微电子工艺领域，具体涉及一种用于湿法蚀刻相变材料的碱性蚀刻液及其应用，碱性蚀刻液质量百分组成为：10～30％的碱性溶液，0～5％的氧化剂，余量为去离子水；其中碱性溶液为氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液或TMAH溶液。本发明所提蚀刻液能够应对现在干法刻蚀过程中卤素气体对相变材料组分造成改变影响器件性能的问题，同时本配方的刻蚀溶液相较酸性刻蚀溶液所存在的刻蚀速率较快不够稳定且表面较为粗糙的问题，能得到表面粗糙度较低的刻蚀表面。将上述碱性蚀刻液应用于功能器件单元制备，利用碱性溶液的上述刻蚀效果以及金属上电极耐碱性溶液刻蚀可做硬掩模的性质，避免传统刻蚀工艺中刻蚀气体使材料表面卤化而影响器件性能的问题并降低工艺成本。
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公开(公告)号：CN116322032A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211686527.5
申请日：2022-12-27
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于环状电容的三维1S1C存储器及制备方法，存储器包括：水平的外围电极层、垂直的功能层及电容介质层：外围电极层包括在衬底上交替堆叠生长的第一电介质层与第一金属电极层，外围电极层中设置有若干在垂直方向贯穿的沟槽，设置有若干在垂直方向贯穿的孔洞，每个孔洞外均设置有一环形凹槽，环形凹槽环绕孔洞并垂直切断外围电极层，环形凹槽内均匀填充有电容介质层，第二金属电极层顶部延伸至最顶层的第一电介质层表面形成位线电极并与位线连接，第二金属电极层与第一金属电极层正对的区域构成存储单元。本发明中减少了制备电容时的刻蚀次数，只需要一次刻蚀并沉积一次电容介质层便可完成全部电容单元的制备，提高了电容制备的良率。
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公开(公告)号：CN115862703A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211666488.2
申请日：2022-12-23
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/4063 , G11C7/10
摘要： 本发明公开了一种基于导电桥阈值开关器件的1S1C存储器及其操作方法，该1S1C存储器包括导电桥阈值开关器件和电容，导电桥阈值开关器件中的选通层为对称结构，包括第一离子层、转换层和第二离子层，构成具有正反向导通特性的选通管；在1S1C存储器上施加电脉冲，当加载在选通层两端的电压差大于阈值电压时，第一离子层或第二离子层中的活性金属离子进入转换层形成导电细丝，选通层处于低阻态；当该电压差降为小于保持电压时，转换层中的导电细丝断裂，选通层变为高阻态，电容两端电压维持在一稳定值，利用电容上存储的电荷量和极性实现数据存储。本发明可有效提升1S1C存储器的刷新周期，降低功耗，且还能简化其操作方法的设计。
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公开(公告)号：CN115762607A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211385465.4
申请日：2022-11-07
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种具有温度补偿作用的三维相变存储器写电路及写操作方法：针对温度对存储单元阈值电压以及对关态电流的影响，分别通过字线供电和位线供电进行温度补偿，且在补偿温度对漏电流的影响时，考虑到存储单元的位置不同，关态电流的影响不同，因此，在补偿温度对关态电流的影响时，将存储单元按照位置划分为多个存储块，并将输出电压分为多组，不同的输出电压对应不同的存储块，由此针对不同位置的存储单元进行不同程度的温度补偿。通过本发明，针对关态电流的温度补偿降低了随温度升高而升高的的写操作的失败率；针对阈值电压的温度补偿减轻了温度升高造成的写操作时不必要的功耗浪费和错误的半压开启的几率。
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公开(公告)号：CN115620791A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211310386.7
申请日：2022-10-25
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： G11C16/34 , G11C16/14 , G11C11/409
摘要： 本发明公开了一种非易失存储单元及其操控方法、非易失存储系统，存储单元包括依次层叠的第一金属电极层、阈值开关层、第二金属电极层，开关层包含具有阈值转变特性和局部晶态转变特性的硫系半导体化合物，阈值开关层在施加初始正向电操作导通后具有第一阈值电压，随之再施加负向电操作后切换至第二阈值电压，随之再施加正向电操作后又切换回第一阈值电压。通过施加不同极性的电操作实现不同数据的写入，将读电压设置在第一电压阈值和第二电压阈值之间，便能实现数据的读取，由此快速实现数据的存储。且基于局部晶态转变特性，第一阈值电压和第二阈值电压在多次循环操作过程中均可以保证明显的阈值电压窗口，具有高的读准确率和可多次循环的优势。
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