本发明涉及一种铜导电层的制备方法及薄膜晶体管，该铜导电层的制备方法通过在基板和铜膜之间沉积金属基体，能够在使得后续步骤中铜膜沉积并附着在金属基体上，有效增加基板与铜膜之间的结合力，防止铜层剥落，使得包括金属基体和铜膜的铜导电层的稳定性更高；通过在惰性且温度小于100℃的环境中脉冲交替通入铜源前驱体和还原性气体，能够沉积表面粗糙度小、成膜连续致密且上下表面不易被氧化的铜膜，因而使得铜导电层整体与基板的结合力强，且电阻率低、电子迁移率高以及稳定性高。