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公开(公告)号：CN110330235B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201910504743.5
申请日：2019-06-11
申请人： 惠科股份有限公司 , 滁州惠科光电科技有限公司
IPC分类号： C03C17/25 , C01B33/155 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G09F9/00 , H01L27/12
摘要： 本发明公开一种多孔二氧化硅薄膜及其制备方法、以及显示面板。其中，所述多孔二氧化硅薄膜的制备方法包括以下步骤：将水和有机醇溶剂混合，得到混合溶剂；向混合溶剂中加入硅前驱体和表面活性剂，搅拌分散得到溶胶液，并将溶胶液陈化得到凝胶液；将凝胶液分散至衬底表面，干燥处理得到多孔二氧化硅薄膜。本发明的技术方案能够降低钝化层的介电常数，减小其寄生电容，从而减小漏电流，并且能够有效地避免信号串扰和RC电路延时等问题。
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公开(公告)号：CN110444478B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201910564637.6
申请日：2019-06-27
申请人： 惠科股份有限公司 , 滁州惠科光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/321 , C23C16/34 , C23C16/455 , G02F1/1368
摘要： 本申请公开了一种薄膜晶体管的制作方法、原子层沉积装置和显示面板。薄膜晶体管包括金属层，对金属层的加工步骤包括将金属层放置于原子层沉积装置的反应室内；在原子层沉积装置中持续通入预设时间的第一前驱体进行反应，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，重复进行第一预设次数；在原子层沉积装置中持续通入预设时间的第二前驱体进行反应，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，重复进行第二预设次数；在原子层沉积装置中持续通入预设时间的第三前驱体进行反应，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，重复进行第三预设次数；将上述步骤重复进行第四预设次数。对金属层进行加工防止金属层氧化。
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公开(公告)号：CN110316726B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201910504657.4
申请日：2019-06-11
申请人： 惠科股份有限公司 , 滁州惠科光电科技有限公司
IPC分类号： C01B32/186 , C01B32/194 , C25D11/04 , H01L27/12
摘要： 本发明公开一种石墨烯纳米线薄膜及其制备方法、以及薄膜晶体管阵列，石墨烯纳米线薄膜的制备方法包括以下步骤：以铝基材为基材，采用阳极氧化法制备多孔阳极氧化铝模板；采用原子层沉积法在多孔阳极氧化铝模板的孔内壁面沉积得到金属催化层；采用化学气相沉积法，在金属催化层的表面沉积得到石墨烯纳米线，并采用模板去除剂去除多孔阳极氧化铝模板、采用催化层去除剂去除金属催化层，得到石墨烯纳米线；以及对石墨烯纳米线进行漂洗，并将漂洗后的石墨烯纳米线分散至成膜溶液中得到膜液，将膜液涂覆于基板的表面，干燥得到石墨烯纳米线薄膜。本发明的技术方案能够使得石墨烯纳米线薄膜具有好的导电性能。
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公开(公告)号：CN110316726A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910504657.4
申请日：2019-06-11
申请人： 惠科股份有限公司 , 滁州惠科光电科技有限公司
IPC分类号： C01B32/186 , C01B32/194 , C25D11/04 , H01L27/12
摘要： 本发明公开一种石墨烯纳米线薄膜及其制备方法、以及薄膜晶体管阵列，石墨烯纳米线薄膜的制备方法包括以下步骤：以铝基材为基材，采用阳极氧化法制备多孔阳极氧化铝模板；采用原子层沉积法在多孔阳极氧化铝模板的孔内壁面沉积得到金属催化层；采用化学气相沉积法，在金属催化层的表面沉积得到石墨烯纳米线，并采用模板去除剂去除多孔阳极氧化铝模板、采用催化层去除剂去除金属催化层，得到石墨烯纳米线；以及对石墨烯纳米线进行漂洗，并将漂洗后的石墨烯纳米线分散至成膜溶液中得到膜液，将膜液涂覆于基板的表面，干燥得到石墨烯纳米线薄膜。本发明的技术方案能够使得石墨烯纳米线薄膜具有好的导电性能。
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公开(公告)号：CN110164878A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910494975.7
申请日：2019-06-10
申请人： 惠科股份有限公司 , 重庆惠科金渝光电科技有限公司 , 滁州惠科光电科技有限公司
摘要： 本申请涉及一种阵列基板及其制备方法。阵列基板包括：基板；第一电容极板，位于基板上；栅电极，位于基板上；第一栅绝缘层，覆盖第一电容极板以及栅电极，介电常数为ε1；第二栅绝缘层，覆盖第一栅绝缘层，介电常数为ε2；半导体有源层，位于第二栅绝缘层远离第一栅绝缘层的一侧；第二电容极板，也位于第二栅绝缘层远离第一栅绝缘层的一侧，且与第一电容极板相对设置；ε1>ε2，且第一栅绝缘层掺杂有第二栅绝缘层中的至少一种原子，第二栅绝缘层与半导体有源层含有至少一种相同的原子。本申请第一栅绝缘层掺杂有第二栅绝缘层中的至少一种原子，使得第一栅绝缘层与第二栅绝缘层形成共价键，进而可以更加有效地提高存储电容的整体介电常数。
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公开(公告)号：CN111916353B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202010741292.X
申请日：2020-07-29
申请人： 滁州惠科光电科技有限公司 , 惠科股份有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 本申请公开了一种显示面板的制作方法和显示面板，包括形成阵列基板的制程，形成阵列基板的制程包括步骤：在玻璃基板上形成缓冲层；在缓冲层上形成光阻层；将形成有光阻层的基板放入活化剂中进行活化处理，活化剂与光阻层接触的对应位置形成第一预设图案的活化液粒子层；活化剂与缓冲层接触的对应位置形成第二预设图案的活化液粒子层；去除光阻层及形成第一预设图案的活化液粒子层；进行化学镀操作，对应与缓冲层接触的第二预设图案的活化液粒子层的位置，形成第一金属层。本方案中，由于使用化学镀操作，不需要通电，从而形成第一金属层，这样节能环保，改善电镀的高污染高能耗问题。
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公开(公告)号：CN110453198B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201910564627.2
申请日：2019-06-27
申请人： 惠科股份有限公司 , 滁州惠科光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/40 , H01L27/12
摘要： 本申请公开了一种铟锡氧化物薄膜的制作方法、显示面板和显示装置。所述铟锡氧化物薄膜的制作方法，制作方法包括：形成氧化铟薄膜的步骤；形成氧化锡薄膜的步骤；以及交替形成氧化铟薄膜的步骤和氧化锡薄膜的步骤，判断是否重复了第三预设次数，是则制程完成；否则，重新执行形成氧化铟薄膜和氧化锡薄膜的步骤。本申请使用原子层沉积技术，交替形成氧化铟薄膜和氧化锡薄膜，并最终得到铟锡氧化物薄膜，大幅提高沉积薄膜的致密度，表面平整度和均匀度，实现生成稳定的铟锡氧化物薄膜。
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公开(公告)号：CN110416063B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201910564600.3
申请日：2019-06-27
申请人： 惠科股份有限公司 , 滁州惠科光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/34 , H01L29/786
摘要： 本申请公开了一种薄膜晶体管的制作方法及显示面板，包括：在衬底上沉积第一金属层和栅极绝缘层后，沉积铟镓锌氧化物层；在铟镓锌氧化物层上沉积复合钝化膜，沉积复合钝化膜的步骤包括：在原子沉积装置中，持续通入预设时间的硅前驱体，停留预设的时间，通入惰性气体清扫，持续通入预设时间的氧前驱体，停留预设的时间，通入惰性气体清扫；形成氧化硅，持续通入预设时间的铝前驱体，停留预设的时间，通入惰性气体清扫，持续通入预设时间的氧前驱体，停留预设的时间，通入惰性气体清扫，形成氧化铝；重复预设次数的形成氧化硅和氧化铝层的步骤，得到复合钝化膜；在复合钝化膜的上方依次沉积第二金属层，绝缘层和透明电极层，形成薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN110453198A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910564627.2
申请日：2019-06-27
申请人： 惠科股份有限公司 , 滁州惠科光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/40 , H01L27/12
摘要： 本申请公开了一种铟锡氧化物薄膜的制作方法、显示面板和显示装置。所述铟锡氧化物薄膜的制作方法，制作方法包括：形成氧化铟薄膜的步骤；形成氧化锡薄膜的步骤；以及交替形成氧化铟薄膜的步骤和氧化锡薄膜的步骤，判断是否重复了第三预设次数，是则制程完成；否则，重新执行形成氧化铟薄膜和氧化锡薄膜的步骤。本申请使用原子层沉积技术，交替形成氧化铟薄膜和氧化锡薄膜，并最终得到铟锡氧化物薄膜，大幅提高沉积薄膜的致密度，表面平整度和均匀度，实现生成稳定的铟锡氧化物薄膜。
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公开(公告)号：CN110438472A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910564625.3
申请日：2019-06-27
申请人： 惠科股份有限公司 , 滁州惠科光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/455 , H01L29/786 , H01L27/12
摘要： 本申请公开了一种铟镓锌氧化物薄膜的制作方法、薄膜晶体管和显示面板，在原子层沉积装置中持续通入预设时间的锌前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，持续通入预设时间的氧前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫；持续通入预设时间的镓前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，持续通入预设时间的氧前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫；持续通入预设时间的铟前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，持续通入预设时间的氧前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫；重复预设次数上述的步骤以形成铟镓锌氧化物薄膜。
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