公开(公告)号：CN115172281A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210886100.3

申请日：2022-07-26

申请人： 滁州惠科光电科技有限公司 ,  惠科股份有限公司

发明人： 卓恩宗 ,  夏玉明 ,  朱虹玲 ,  康报虹

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1362

摘要： 本申请提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板。制备方法包括：在基板上形成栅极和栅极绝缘层，栅极绝缘层覆盖栅极；在栅极绝缘层上通过原子层沉积工艺形成待转换层；对待转换层进行快速退火处理形成第一有源层；在第一有源层上形成间隔设置的源极和漏极，源极和漏极均连接第一有源层。通过本申请的制备方法制备得到的阵列基板的结晶度及原子有序性较高，电子迁移率高达2‑10cm2/Vs，能够适用于大尺寸(例如大于65寸)、高分辨率(例如8k)、高刷新率(例如大于等于120Hz)的显示面板。

公开(公告)号：CN110379819B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN201910500007.2

申请日：2019-06-11

申请人： 滁州惠科光电科技有限公司 ,  惠科股份有限公司

发明人： 夏玉明 ,  卓恩宗

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362

摘要： 本申请公开了一种阵列基板及其制造方法和显示面板，阵列基板的制造方法包括步骤：在一衬底基板上依次形成第一金属层、绝缘层、非晶硅层和第二金属层；对第二金属层进行蚀刻形成暴露出所述非晶硅层的沟道；利用氧气等离子体处理所述沟道，在所述非晶硅层上形成硅氧化物层；在所述第二金属层以及所述硅氧化物层上形成钝化层，在所述钝化层上形成透明电极层；其中，所述钝化层包括含氮和/或硅的化合物。利用氧气等离子体对沟道中进行处理，以使得钝化层与非晶硅层可以通过共价键等形式，进而减少二者界面接触的缺陷，从而提高界面的平整度和器件的稳定性。

公开(公告)号：CN110438472B

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN201910564625.3

申请日：2019-06-27

申请人： 惠科股份有限公司 ,  滁州惠科光电科技有限公司

发明人： 夏玉明 ,  卓恩宗

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12

摘要： 本申请公开了一种铟镓锌氧化物薄膜的制作方法、薄膜晶体管和显示面板，在原子层沉积装置中持续通入预设时间的锌前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，持续通入预设时间的氧前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫；持续通入预设时间的镓前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，持续通入预设时间的氧前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫；持续通入预设时间的铟前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫，持续通入预设时间的氧前驱体，完成通入后停留预设的时间，通入惰性气体吹扫；重复预设次数上述的步骤以形成铟镓锌氧化物薄膜。

公开(公告)号：CN113140577A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202110429860.7

申请日：2021-04-21

申请人： 滁州惠科光电科技有限公司 ,  惠科股份有限公司

发明人： 卓恩宗 ,  都桂卿 ,  朱虹玲 ,  郑浩旋

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1335

摘要： 本发明涉及液晶显示的技术领域，提供了一种阵列基板制备方法、阵列基板及显示面板，其中阵列基板制备方法包括：在第一基板上设置第一金属层；在第一金属层上设置半导体层；在半导体层上设置第二金属层；在第二金属层上设置第一保护层；在第一保护层上设置色阻层；对色阻层进行等离子体处理；在色阻层上设置第二保护层；通过上述技术方案，在设置色阻层后，对色阻层进行离子体处理，有利于将色阻层存放于第一保护层上，避免气泡的产生；同时色阻层置于第一保护层和第二保护层之间，提高了色阻层的可靠性，因此可以减小色阻层的厚度，同样可以减小气泡的产生。

公开(公告)号：CN112909087A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN202110253417.9

申请日：2021-03-08

申请人： 滁州惠科光电科技有限公司 ,  惠科股份有限公司

发明人： 夏玉明 ,  卓恩宗 ,  余思慧

IPC分类号： H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

摘要： 本申请适用于半导体器件技术领域，提供了一种显示面板、薄膜晶体管及其制备方法，薄膜晶体管包括：基板以及设于基板上的栅极、栅极绝缘层、沟道层、源极、漏极以及绝缘保护层；栅极绝缘层包括第一氮化硅层、设于第一氮化硅层上的第二氮化硅层以及设于第二氮化硅层上的第三氮化硅层，其中，第三氮化硅层位于沟道层与第二氮化硅层之间，且第三氮化硅层中的氮硅的浓度比例小于1，通过使第三氮化硅层中的含硅量大于含氮量，促进栅极绝缘层与沟道层之间的界面处的硅原子的原子化学键接触更加紧密，同时也可以改善其界面应力，提高界面应力的匹配性，提升薄膜晶体管器件的稳定性。

公开(公告)号：CN110459474B

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201910564636.1

申请日：2019-06-27

申请人： 惠科股份有限公司 ,  滁州惠科光电科技有限公司

发明人： 夏玉明 ,  卓恩宗 ,  雍万飞

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L27/12

摘要： 本申请公开了一种薄膜晶体管的制作方法和显示装置，薄膜晶体管的制作方法包括步骤：在衬底上依次形成栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层以及金属层；在金属层上方形成光阻层；使用半透膜在所述光阻层上形成预设图案，使所述光阻层对应沟道区形成厚度小于所述光阻层其它部位的光阻薄层；第一次湿蚀刻得到与所述预设图案的光阻层相对应的金属层；第一次干蚀刻得到与所述预设图案的光阻层相对应的有源层、欧姆接触层，并将光阻薄层完全蚀刻；第二次湿蚀刻去除沟道区的金属层以及金属氧化物，形成位于沟道区两侧的源极金属层和漏极金属层；第二次干蚀刻使得欧姆接触层对应沟道区镂空，同时使得有源层对应沟道区的厚度小于有源层的其它部位的厚度。提高了产品性能。

公开(公告)号：CN110330235A

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201910504743.5

申请日：2019-06-11

申请人： 惠科股份有限公司 ,  滁州惠科光电科技有限公司

发明人： 夏玉明 ,  卓恩宗

IPC分类号： C03C17/25 ,  C01B33/155 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  H01L27/12

摘要： 本发明公开一种多孔二氧化硅薄膜及其制备方法、以及显示面板。其中，所述多孔二氧化硅薄膜的制备方法包括以下步骤：将水和有机醇溶剂混合，得到混合溶剂；向混合溶剂中加入硅前驱体和表面活性剂，搅拌分散得到溶胶液，并将溶胶液陈化得到凝胶液；将凝胶液分散至衬底表面，干燥处理得到多孔二氧化硅薄膜。本发明的技术方案能够降低钝化层的介电常数，减小其寄生电容，从而减小漏电流，并且能够有效地避免信号串扰和RC电路延时等问题。

公开(公告)号：CN118502165A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410660169.3

申请日：2024-05-23

申请人： 滁州惠科光电科技有限公司 ,  惠科股份有限公司

发明人： 何志鹏 ,  卓恩宗 ,  黄诚毅 ,  叶利丹

IPC分类号： G02F1/1337 ,  G02F1/1333

摘要： 本申请公开了一种曲面显示面板及其制备方法，其中，所述曲面显示面板包括第一基板、第二基板以及设置于所述第一基板和所述第二基板的液晶层，其特征在于，所述液晶层包括靠近所述第一基板设置的多个第一液晶分子和靠近所述第二基板多个第二液晶分子；其中，多个所述第一液晶分子与多个所述第二液晶分子的预倾角不同。通过上述方法，解决了曲面屏在弯曲处产生的mura。

公开(公告)号：CN116207158A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310297025.1

申请日：2023-03-23

申请人： 滁州惠科光电科技有限公司 ,  惠科股份有限公司

发明人： 朱虹玲 ,  卓恩宗 ,  康报虹

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/16

摘要： 本申请公开了一种薄膜晶体管、显示面板以及薄膜晶体管的制作方法，涉及显示技术领域，所述薄膜晶体管包括衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层、源极和漏极，所述栅极形成在所述衬底上，所述栅极绝缘层形成在所述栅极上，所述有源层形成在所述栅极绝缘层上，所述欧姆接触层形成在所述有源层上，所述源极和漏极均形成在所述欧姆接触层上，还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层形成在所述欧姆接触层与所述有源层之间，其中，所述第一绝缘层的膜厚为30‑50A；本申请通过以上设计，增高有源层能带势垒，阻隔空穴，降低TFT关态电流。

公开(公告)号：CN110164878B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN201910494975.7

申请日：2019-06-10

申请人： 惠科股份有限公司 ,  重庆惠科金渝光电科技有限公司 ,  滁州惠科光电科技有限公司

发明人： 夏玉明 ,  卓恩宗

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/51 ,  H01L21/77

摘要： 本申请涉及一种阵列基板及其制备方法。阵列基板包括：基板；第一电容极板，位于基板上；栅电极，位于基板上；第一栅绝缘层，覆盖第一电容极板以及栅电极，介电常数为ε1；第二栅绝缘层，覆盖第一栅绝缘层，介电常数为ε2；半导体有源层，位于第二栅绝缘层远离第一栅绝缘层的一侧；第二电容极板，也位于第二栅绝缘层远离第一栅绝缘层的一侧，且与第一电容极板相对设置；ε1>ε2，且第一栅绝缘层掺杂有第二栅绝缘层中的至少一种原子，第二栅绝缘层与半导体有源层含有至少一种相同的原子。本申请第一栅绝缘层掺杂有第二栅绝缘层中的至少一种原子，使得第一栅绝缘层与第二栅绝缘层形成共价键，进而可以更加有效地提高存储电容的整体介电常数。