本文描述的实施例涉及用于图案化掺杂层(诸如含镧层)的方法，用于掺杂FinFET器件的栅极堆叠件中的高k介电层以用于阈值电压调节。可以在掺杂层和用于图案化掺杂层的硬掩模层之间形成阻挡层。在实施例中，阻挡层可以包括或者可以是氧化铝(AlOx)。阻挡层可以防止来自硬掩模层的元素扩散到掺杂层中，并且因此可以提高形成的器件的可靠性。阻挡层还可以通过减少图案化引起的缺陷来改善图案化工艺。本发明的实施例涉及用于图案化含镧层的方法。