- 专利标题: 石墨烯纳米线薄膜及其制备方法、以及薄膜晶体管阵列
- 专利标题(英): Graphene nanowire film and preparation method thereof and thin film transistor array
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申请号: CN201910504657.4申请日: 2019-06-11
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公开(公告)号: CN110316726A公开(公告)日: 2019-10-11
- 发明人: 夏玉明 , 卓恩宗
- 申请人: 惠科股份有限公司 , 滁州惠科光电科技有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民营工业园惠科工业园厂房1、2、3栋,九州阳光1号厂房5、7楼
- 专利权人: 惠科股份有限公司,滁州惠科光电科技有限公司
- 当前专利权人: 惠科股份有限公司,滁州惠科光电科技有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民营工业园惠科工业园厂房1、2、3栋,九州阳光1号厂房5、7楼
- 代理机构: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所
- 代理商 胡海国
- 主分类号: C01B32/186
- IPC分类号: C01B32/186 ; C01B32/194 ; C25D11/04 ; H01L27/12
摘要:
本发明公开一种石墨烯纳米线薄膜及其制备方法、以及薄膜晶体管阵列,石墨烯纳米线薄膜的制备方法包括以下步骤:以铝基材为基材,采用阳极氧化法制备多孔阳极氧化铝模板;采用原子层沉积法在多孔阳极氧化铝模板的孔内壁面沉积得到金属催化层;采用化学气相沉积法,在金属催化层的表面沉积得到石墨烯纳米线,并采用模板去除剂去除多孔阳极氧化铝模板、采用催化层去除剂去除金属催化层,得到石墨烯纳米线;以及对石墨烯纳米线进行漂洗,并将漂洗后的石墨烯纳米线分散至成膜溶液中得到膜液,将膜液涂覆于基板的表面,干燥得到石墨烯纳米线薄膜。本发明的技术方案能够使得石墨烯纳米线薄膜具有好的导电性能。
公开/授权文献
- CN110316726B 石墨烯纳米线薄膜及其制备方法、以及薄膜晶体管阵列 公开/授权日:2021-07-02