本公开的实施例涉及一种半导体器件，包括：被提供在由晶面(100)构成的半导体衬底的主表面中的单元区域；嵌入半导体衬底中的场绝缘膜；以及围绕单元区域的环形p型阱区域。p型阱区域包括在 方向上延伸的第一区域、在 方向上延伸的第二区域、以及连接第一区域和第二区域并且在平面图中具有弧形形状的第三区域。在平面图中，场绝缘膜具有被提供在p型阱区域中并且沿着p型阱区域延伸的开口。开口包括在第一区域中在 方向上延伸的第一开口和在第二区域中在 方向上延伸的第二开口，并且第一开口和第二开口在第三区域中彼此分开。